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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-01-29 13:05 ［招待講演］4F2型セルを有する酸化物半導体チャネルトランジスタ DRAM (OCTRAM) ○有吉恵子・株柳翔一・羽賀健一・池田圭司・阪元 圭・藤井章輔・藤巻 剛（キオクシア）・呂增富・章思堯・施江林（南亜科技）  SDM2024-65 |
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| 抄録 | （和） | 我々は、ゲートオールアラウンド構造の酸化物半導体InGaZnOチャネル縦型トランジスタを搭載した4F2型セルDRAM（OCTRAM）を作製した。15 μA/Cellを超えるオン電流と1 aA/Cellを下回るオフ電流特性を示すVCTを作製し、BEOLプロセスを経てもこれらの特性を維持できることを示した。さらに、WL 54 nm/BL 63 nmピッチの275 Mbit OCTRAMアレイを作製し、DRAM動作を実証した。 |
| （英） | We have demonstrated the 4F2 gate-all-around oxide-semiconductor channel transistor DRAM (OCTRAM) exploiting InGaZnO as a channel material for a vertical channel transistor (VCT). Our InGaZnO VCT achieved both ON current larger than 15 μA/Cell and leakage current below 1 aA/Cell, and these characteristics were maintained after BEOL processes. Moreover, a 275 Mbit OCTRAM array with WL 54 nm/BL 63 nm pitches was fabricated, and DRAM operation was successfully obtained. | |
| キーワード | （和） | InGaZnO / 酸化物半導体 / ゲートオールアラウンド / OCTRAM / DRAM / / / |
| （英） | InGaZnO / oxide semiconductor / gate-all-around / OCTRAM / DRAM / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 367, SDM2024-65, pp. 1-2, 2025年1月. | |
| 資料番号 | SDM2024-65 | |
| 発行日 | 2025-01-22 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2024-65 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2025-01-29 - 2025-01-29 |
| 開催地（和） | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス |
| 開催地（英） | KIT Toranomon Graduate School |
| テーマ（和） | 先端デバイス・ プロセス技術（IEDM特集） |
| テーマ（英） | Advanced semiconductor devices and processes (Special feature on IEDM) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2025-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 4F2型セルを有する酸化物半導体チャネルトランジスタ DRAM (OCTRAM) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | *** |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaZnO / InGaZnO |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化物半導体 / oxide semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | ゲートオールアラウンド / gate-all-around |
| キーワード(4)（和/英） | OCTRAM / OCTRAM |
| キーワード(5)（和/英） | DRAM / DRAM |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 有吉 恵子 / Keiko Ariyoshi / アリヨシ ケイコ |
| 第1著者 所属（和/英） | キオクシア (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 株柳 翔一 / * * / |
| 第2著者 所属（和/英） | キオクシア (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 羽賀 健一 / * * / |
| 第3著者 所属（和/英） | キオクシア (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 圭司 / * * / |
| 第4著者 所属（和/英） | キオクシア (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 阪元 圭 / * * / |
| 第5著者 所属（和/英） | キオクシア (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤井 章輔 / * * / |
| 第6著者 所属（和/英） | キオクシア (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤巻 剛 / * * / |
| 第7著者 所属（和/英） | キオクシア (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 呂增富 * / * * / |
| 第8著者 所属（和/英） | 南亜科技 (略称： 南亜科技) * (略称： *) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 章思堯 * / * * / |
| 第9著者 所属（和/英） | 南亜科技 (略称： 南亜科技) * (略称： *) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 施江林 * / * * / |
| 第10著者 所属（和/英） | 南亜科技 (略称： 南亜科技) * (略称： *) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-01-29 13:05:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2024-65 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.367 |
| ページ範囲 | pp.1-2 |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | 2025-01-22 (SDM) |
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