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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-02-19 10:50 ［招待講演］3Dフラッシュメモリのスケーラビリティと高信頼性を可能にするフッ素フリーワードラインモリブデンプロセスに関するシリコンテクノロジー研究集会レビュー ○福島 崇（キオクシア）  SDM2024-72 |
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| 抄録 | （和） | 本報告は、3Dフラッシュメモリの垂直方向(Z方向)、水平方向(X-Y方向)、両方のスケーリングを可能とするフッ素フリーワードラインモリブデンプロセスを、2024 IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuitsでの講演を基に紹介する。また、モリブデンリセスの最適化による過剰リセス改善、モリブデン埋め込み性の最適化によるVoid中残留酸素の除去とリーク不良改善、XYZ方向にスケーリングを行った際のワードラインタングステンに対するワードラインモリブデンの優位性について報告する。 |
| （英） | A state-of-the-art fluorine-free word line (WL) molybdenum (Mo) process has been established for future 3D flash memory. Application of Mo to WLs can accelerate scaling of cells in both the vertical and horizontal directions with lower RC delay and lower leakage failure rates compared to traditional tungsten. In addition to being fluorine-free, key attributes of the process are optimization of Mo recess by innovated chemical and improvement of Mo filling to remove oxygen residue in Mo voids. These techniques can extend the scaling limit of 3D flash memory. | |
| キーワード | （和） | フラッシュメモリ / ワードライン / モリブデン / / / / / |
| （英） | flash memory / word line / molybdenum / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 124, no. 376, SDM2024-72, pp. 2-2, 2025年2月. | |
| 資料番号 | SDM2024-72 | |
| 発行日 | 2025-02-12 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2024-72 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2025-02-19 - 2025-02-19 |
| 開催地（和） | 東京大学 本郷/工学部4号館/3階42教室 |
| 開催地（英） | Tokyo Univ. Hongo Engineering/Building4-Room43 |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2025-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 3Dフラッシュメモリのスケーラビリティと高信頼性を可能にするフッ素フリーワードラインモリブデンプロセスに関するシリコンテクノロジー研究集会レビュー |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fluorine-free Word Line Molybdenum Process for Enhancing Scalability and Reliability in 3D Flash Memory |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | フラッシュメモリ / flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | ワードライン / word line |
| キーワード(3)（和/英） | モリブデン / molybdenum |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福島 崇 / Takashi Fukushima / フクシマ タカシ |
| 第1著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) KIOXIA Corporation (略称： KIOXIA) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-02-19 10:50:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2024-72 |
| 巻番号（vol） | vol.124 |
| 号番号（no） | no.376 |
| ページ範囲 | p.2 |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2025-02-12 (SDM) |
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