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講演抄録/キーワード
講演名 2025-04-18 14:10
[招待講演]加熱触媒体を用いた半導体薄膜の形成と結晶化技術
部家 彰松尾直人住友弘二兵庫県立大SDM2025-3 OME2025-3
抄録 (和) 加熱触媒体でSiH4ガスを分解し堆積前駆体を生成することでSi薄膜を作製する触媒化学気相成長(Cat-CVD)法の成膜機構の検討を行った.さらに,本技術の2次元炭素材料合成への応用を試みた.Cat-CVD Si膜では原料のSiH4ガスにH2ガスを追加することで,低温でも結晶化が起こった.また,ペンタセン(Pn, C22H14)原料を用いた場合,PnとH2との反応によりPnの水素化(ジヒドロペンタセン(DHP, C22H16)の生成)が起こった.この反応により生成したDHPとPnとの重合反応によりPn多量体(ナノグラフェン)を合成できた.また,レーザ結晶化におけるSi膜中水素の効果,軟X線結晶化における機構について興味深い知見が得られた. 
(英) We investigated the film formation mechanism of the catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) method, which enables the fabrication of Si thin films through the decomposition of SiH₄ gas via a heated catalytic surface, generating deposition precursors. Furthermore, the potential application of this technique to the synthesis of two-dimensional carbon materials was explored. In Cat-CVD Si films, the addition of H₂ gas to the SiH₄ precursor facilitated crystallization even at low temperatures. Additionally, when pentacene (Pn, C₂₂H₁₄) was employed as the precursor, hydrogenation of Pn occurred due to its reaction with H₂, leading to the formation of dihydropentacene (DHP, C₂₂H₁₆). The polymerization reaction between Pn and DHP resulted in the synthesis of Pn oligomer (nanographene). Moreover, significant insights were obtained regarding the role of hydrogen in Si films during laser crystallization, as well as the mechanisms of soft X-ray-induced crystallization.
キーワード (和) 加熱触媒体 / 水素 / 多結晶Si薄膜 / ナノグラフェン / レーザ結晶化 / 軟X線照射 / /  
(英) Heated catalyst / Hydrogen / Polycrystalline Si film / Nanographene / Laser crystallization / Soft X-ray irradiation / /  
文献情報 信学技報, vol. 125, no. 10, SDM2025-3, pp. 8-11, 2025年4月.
資料番号 SDM2025-3 
発行日 2025-04-11 (SDM, OME) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2025-3 OME2025-3

研究会情報
研究会 SDM OME  
開催期間 2025-04-18 - 2025-04-19 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) Okinawaken Seinen Kaikan 
テーマ(和) 薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 
テーマ(英) Thin film devices (Si, compound, organic, flexible), Biotechnology, Materials, Characterization, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2025-04-SDM-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 加熱触媒体を用いた半導体薄膜の形成と結晶化技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Formation of semiconductor thin films using heated catalyst and crystallization technology 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 加熱触媒体 / Heated catalyst  
キーワード(2)(和/英) 水素 / Hydrogen  
キーワード(3)(和/英) 多結晶Si薄膜 / Polycrystalline Si film  
キーワード(4)(和/英) ナノグラフェン / Nanographene  
キーワード(5)(和/英) レーザ結晶化 / Laser crystallization  
キーワード(6)(和/英) 軟X線照射 / Soft X-ray irradiation  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 部家 彰 / Akira Heya / ヘヤ アキラ
第1著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ.of Hyogo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 松尾 直人 / Naoto Matsuo / マツオ ナオト
第2著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ.of Hyogo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 住友 弘二 / Koji Sumitomo / スミトモ コウジ
第3著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ.of Hyogo)
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講演者 第1著者 
発表日時 2025-04-18 14:10:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2025-3, OME2025-3 
巻番号(vol) vol.125 
号番号(no) no.10(SDM), no.11(OME) 
ページ範囲 pp.8-11 
ページ数
発行日 2025-04-11 (SDM, OME) 


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