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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-05-30 16:35 電気化学測定法によるn-GaN界面の電気的評価 ○嶋﨑喬大・髙橋円空・佐藤威友（北大）  ED2025-8 CPM2025-8 SDM2025-22 |
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| 抄録 | （和） | 電気化学測定法を用いて，n-GaNプロセス表面の電気的特性を評価した。溶液中で容量–電圧（C–V）測定を行った結果，加工プロセスを実施しなかったAs-grown試料と比較して，ICP-RIE加工面では溶液との界面に形成される電位障壁が低下し加工表面近傍のキャリア密度が減少することが分かった．電気化学インピーダンス分光（EIS）測定では，ICP-RIE加工面に対して空乏層容量Cを擬似容量CPE（constant phase element）で置き換えた等価回路解析が有効であり，ICP-RIE加工により電気的特性の面内均一性が低下したことを示唆する結果を得た．光電気化学（PEC）エッチングは，ICP-RIE加工面に見られた電気的特性劣化の解消に一定の効果を示した．電気化学的評価法は，種々のGaNプロセス面に適用可能であり，非破壊電気的評価法として有望である． |
| （英） | Electrochemical measurements were conducted to evaluate the electrical properties of the processed n-GaN surface. Capacitance–voltage (C–V) measurements were performed in solution, and the results showed that, compared to As-grown samples without any processing, the ICP-RIE-processed surface exhibited a reduced potential barrier at the solution/GaN interface and a decrease in carrier density near the processed surface. Electrochemical impedance spectroscopy (EIS) measurements revealed that equivalent circuit analysis, where the depletion layer capacitance C was replaced with a CPE (constant phase element) element, was effective for the ICP-RIE-processed surface, suggesting that the ICP-RIE process reduced the in-plane uniformity of electrical properties. Photo-electrochemical (PEC) etching demonstrated an effect in recovering the electrical property degradation observed on the ICP-RIE-processed surface. Electrochemical evaluation methods are applicable to various GaN processed surfaces and show promise as non-destructive electrical evaluation techniques. | |
| キーワード | （和） | 窒化ガリウム / 電気化学的評価 / ICP-RIE / 光電気化学エッチング / / / / |
| （英） | Gallium nitride / Electrochemical measurements / ICP-RIE / Photo-electrochemical (PEC) etching / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 42, ED2025-8, pp. 29-32, 2025年5月. | |
| 資料番号 | ED2025-8 | |
| 発行日 | 2025-05-23 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2025-8 CPM2025-8 SDM2025-22 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED CPM |
| 開催期間 | 2025-05-30 - 2025-05-30 |
| 開催地（和） | 静岡大学（浜松） |
| 開催地（英） | Shizuoka Univ. (Hamamatsu) |
| テーマ（和） | 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 |
| テーマ（英） | Materials, fabrication, and characterization of functional devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2025-05-SDM-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 電気化学測定法によるn-GaN界面の電気的評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical characterization of n-GaN surface by electrochemical measurement method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / Gallium nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 電気化学的評価 / Electrochemical measurements |
| キーワード(3)（和/英） | ICP-RIE / ICP-RIE |
| キーワード(4)（和/英） | 光電気化学エッチング / Photo-electrochemical (PEC) etching |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 嶋﨑 喬大 / Takahiro Shimazaki / シマザキ タカヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 髙橋 円空 / Enku Takahashi / タカハシ エンクウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 威友 / Taketomo Sato / サトウ タケトモ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-05-30 16:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2025-8, CPM2025-8, SDM2025-22 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.42(ED), no.43(CPM), no.44(SDM) |
| ページ範囲 | pp.29-32 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2025-05-23 (ED, CPM, SDM) |
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