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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-05-30 13:50 汎用CMOSプロセスにより試作したペルチェICの特性に関する研究 ○佐野勇司（東洋大）・中谷友英（東京都教育委員会）  ED2025-2 CPM2025-2 SDM2025-16 |
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| 抄録 | （和） | 汎用ペルチェ素子は，化合物半導体に半田付けした金属配線で熱を伝える混成IC構造になっている．しかし，素材の熱膨張係数の違いによる短寿命が課題である．筆者らは最も一般的なバルクCMOSプロセスによるモノリシック構造によるペルチェICを提案して，長寿命化を目指している．始めにチップ表面に沿った熱流を熱電変換できるペルチェICを提案して実験評価した結果，従来素子に近い66.5～106.0μV/Kのゼーベック係数が得られた．次にチップ表裏間の広い断面の熱流を熱電変換できるICを提案して実験評価した．特に，形成した基板トランジスタによる伝導度変調を活用して低抵抗化した構造においては，熱電冷却におけるCOPが従来の２倍以上に向上した．本結果より，素材の性能指数Zの向上ばかりに注力されてきた既存の化合物半導体熱電素子の開発へのPN接合構造の活用が期待できる． |
| （英） | Short life time due to the difference in the coefficient of thermal expansion of the materials is an issue for general Peltier device of hybrid IC. The authors have proposed a Peltier IC with a monolithic structure based on the most common bulk CMOS process. A thermoelectric IC capable of thermoelectric conversion of heat flow over a wide cross-section between the front and back surfaces of a chip was devised and experimentally evaluated. In particular, the COP in thermoelectric cooling was more than twice as high as that of the conventional IC with a low resistance structure utilizing conductivity modulation by the substrate transistor structure. | |
| キーワード | （和） | ペルチェ素子 / ゼーベック効果 / ペルチェ効果 / 熱等価回路 / 集積回路 / CMOS / / |
| （英） | Peltier device / Seebeck effect / Peltier effect / Thermal equivalent circuit / Integrated circuit / CMOS / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 42, ED2025-2, pp. 5-8, 2025年5月. | |
| 資料番号 | ED2025-2 | |
| 発行日 | 2025-05-23 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2025-2 CPM2025-2 SDM2025-16 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED CPM |
| 開催期間 | 2025-05-30 - 2025-05-30 |
| 開催地（和） | 静岡大学（浜松） |
| 開催地（英） | Shizuoka Univ. (Hamamatsu) |
| テーマ（和） | 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 |
| テーマ（英） | Materials, fabrication, and characterization of functional devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2025-05-SDM-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 汎用CMOSプロセスにより試作したペルチェICの特性に関する研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on Characteristics of Prototype Peltier ICs Fabricated by General Bulk CMOS Process. |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ペルチェ素子 / Peltier device |
| キーワード(2)（和/英） | ゼーベック効果 / Seebeck effect |
| キーワード(3)（和/英） | ペルチェ効果 / Peltier effect |
| キーワード(4)（和/英） | 熱等価回路 / Thermal equivalent circuit |
| キーワード(5)（和/英） | 集積回路 / Integrated circuit |
| キーワード(6)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐野 勇司 / Yuji Sano / サノ ユウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東洋大学 (略称： 東洋大) Toyo University (略称： Toyo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中谷 友英 / Tomohide Nakatani / ナカタニ トモヒデ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京都教育委員会 (略称： 東京都教育委員会) Board of Education, Tokyo Metropolitan (略称： Board of Education, Tokyo Metropolitan) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-05-30 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2025-2, CPM2025-2, SDM2025-16 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.42(ED), no.43(CPM), no.44(SDM) |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2025-05-23 (ED, CPM, SDM) |
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