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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-06-06 16:05 酸化チタン薄膜トランジスタにおけるアルカリ金属吸着効果 ○宮澤 諒・三浦正範・有馬 ボシール アハンマド・廣瀬文彦（山形大）  ED2025-17 |
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| 抄録 | （和） | 希少金属を使わない高性能薄膜トランジスタ（TFT）の開発を目指し、酸化チタン（TiO₂）をチャネル層とするTFTを作製した。室温原子層堆積法により、アルカリ金属吸着能力を有するアルミニウムシリケートをTiO₂層上に形成した後、ナトリウムを吸着させた結果、ドレイン電流がmAオーダーまで増強され、移動度30 cm²/Vsという高い性能を実現した。資源が豊富で透明性に優れるTiO₂の活用により、希少金属フリーな次世代高性能TFTへの展開が期待される。本研究では、Naよりも拡散係数の小さいセシウム（Cs）、カリウム（K）を吸着させたデバイスを作製し、同金属でもmAオーダーの増強に成功したため報告する。 |
| （英） | We have developed a high-performance thin-film transistor (TFT) without using rare metals, employing titanium oxide (TiO₂) as the channel layer. Using room-temperature atomic layer deposition, we formed aluminum silicate with alkali metal adsorption capability on the TiO₂ layer, followed by sodium adsorption, which enhanced the drain current to the milliampere range and achieved a high mobility of 30 cm²/Vs. The use of TiO₂, which is abundant and optically transparent, is expected to contribute to the development of next-generation high-performance TFTs free from rare metals. In this study, we further demonstrate that similar current enhancement in the milliampere range was achieved by adsorbing cesium (Cs) and potassium (K), which have smaller diffusion coefficients than sodium (Na). | |
| キーワード | （和） | 酸化チタン / 薄膜トランジスタ / アルミニウムシリケート / アルカリ金属 / 原子層堆積 / / / |
| （英） | Titanium oxide / Thin film transistor / Aluminum silicate / Alkali metal / Atomic layer deposition / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 62, ED2025-17, pp. 22-24, 2025年6月. | |
| 資料番号 | ED2025-17 | |
| 発行日 | 2025-05-30 (ED) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2025-17 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2025-06-06 - 2025-06-06 |
| 開催地（和） | 山形大学（米沢キャンパス） |
| 開催地（英） | Yamagata University (Yonezawa Campus) |
| テーマ（和） | 薄膜材料デバイス，一般 |
| テーマ（英） | Thin film materials and devices, general |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2025-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 酸化チタン薄膜トランジスタにおけるアルカリ金属吸着効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of Alkali Metal Adsorption on Titanium Oxide Thin-Film Transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化チタン / Titanium oxide |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin film transistor |
| キーワード(3)（和/英） | アルミニウムシリケート / Aluminum silicate |
| キーワード(4)（和/英） | アルカリ金属 / Alkali metal |
| キーワード(5)（和/英） | 原子層堆積 / Atomic layer deposition |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮澤 諒 / Ryo Miyazawa / ミヤザワ リョウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 正範 / Masanori Miura / ミウラ マサノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 有馬 ボシール アハンマド / Bashir Ahmmad / アリマ ボシール アハンマド |
| 第3著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣瀬 文彦 / Fumihiko Hirose / ヒロセ フミヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-06-06 16:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2025-17 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.62 |
| ページ範囲 | pp.22-24 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2025-05-30 (ED) |
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