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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-08-06 15:30 トンネルFETにおける単一の深いドーパントスピンに依存した室温伝導特性 ～ シリコントランジスタで実装される室温動作量子ビットの実現へ向けて ～ ○大野圭司（理研）  SDM2025-37 ICD2025-17 |
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| 抄録 | （和） | シリコンへドープされた深い不純物には室温においても強く局在した電子や正孔が伴う。この電子や正孔の有するスピン自由度を室温動作可能な量子ビットとして用いるための研究について報告する。この研究の動機について述べた後、深い不純物として用いられる硫黄不純物および亜鉛不純物の特徴を紹介する。次に、硫黄不純物1個と亜鉛不純物1個とを直列に介したトンネル伝導を室温で実現するための素子構造を説明する。さらに、そのようなトンネル伝導で起こるスピン閉鎖現象について説明し、スピン閉鎖に伴って現れる磁気伝導特性を紹介する。最後に将来展望について述べる。 |
| （英） | Deep impurities doped into silicon are accompanied by strongly localized electrons or holes even at room temperature. This manuscript reports on research aimed at utilizing the spin degree of freedom possessed by these deep impurities as quantum bits that can operate at room temperature. After describing the motivation for this research, we introduce the characteristics of sulfur and zinc impurities used as deep impurities. Next, we explain the device structure that realizes tunneling conduction through one sulfur impurity and one zinc impurity in series at room temperature. Furthermore, we explain the spin blockade phenomenon that occurs in such tunneling conduction and introduce the magneto-transport properties that appear as a result of spin blockade. Finally, we discuss future prospects. | |
| キーワード | （和） | 深い不純物 / スピン / 量子ビット / トンネルFET / トンネル伝導 / スピン閉鎖 / 磁気センサー / |
| （英） | Deep impurities / Spin / Quantum bit / Tunnel FET / Tunneling conduction / Spin blockade / Magnetic senser / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 148, SDM2025-37, pp. 18-21, 2025年8月. | |
| 資料番号 | SDM2025-37 | |
| 発行日 | 2025-07-30 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2025-37 ICD2025-17 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD ITE-IST |
| 開催期間 | 2025-08-06 - 2025-08-08 |
| 開催地（和） | 北海道大学薬学部第二講義室 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ, Pharmaceutical Sciences, Lecture Room 2 |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2025-08-SDM-ICD-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | トンネルFETにおける単一の深いドーパントスピンに依存した室温伝導特性 |
| サブタイトル（和） | シリコントランジスタで実装される室温動作量子ビットの実現へ向けて |
| タイトル（英） | Single-dopant spin-dependent transport at room temperature in tunnel FETs |
| サブタイトル（英） | * |
| キーワード(1)（和/英） | 深い不純物 / Deep impurities |
| キーワード(2)（和/英） | スピン / Spin |
| キーワード(3)（和/英） | 量子ビット / Quantum bit |
| キーワード(4)（和/英） | トンネルFET / Tunnel FET |
| キーワード(5)（和/英） | トンネル伝導 / Tunneling conduction |
| キーワード(6)（和/英） | スピン閉鎖 / Spin blockade |
| キーワード(7)（和/英） | 磁気センサー / Magnetic senser |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 圭司 / Keiji Ono / オオノ ケイジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) RIKEN (略称： RIKEN) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-08-06 15:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2025-37, ICD2025-17 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.148(SDM), no.149(ICD) |
| ページ範囲 | pp.18-21 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2025-07-30 (SDM, ICD) |
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