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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-10-16 15:40 電圧制御型磁気トンネル接合の高性能化に向けた高品質トップフリーCoFe超薄膜の極低温結晶成長 ○一ノ瀬智浩・山本竜也・野﨑隆行・薬師寺 啓・田丸慎吾・湯浅新治（産総研）  MRIS2025-8 CPM2025-38 |
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| 抄録 | （和） | 磁気ランダムアクセスメモリの基本要素として垂直磁化型磁気トンネル接合素子の開発が進められている. 高性能な垂直磁化フリー層を実現するためには, MgOトンネル障壁層上に平坦かつ清浄な界面を有する超薄膜強磁性層を形成することが重要である. 本研究では100 Kにおける極低温成膜を用いた結晶性CoFe超薄膜形成プロセスを開発し, 厚さ0.8 nmの超薄膜において0.14 mJ/m2の垂直磁気異方性と100 fJ/Vmを超える磁気異方性の電圧制御効率, さらにそれを用いた安定な電圧制御磁化反転を実証した. |
| （英） | The perpendicular magnetic tunnel junctions have been intensively developed as an integral part of the magnetoresistive random access memories. To achieve a high-performance perpendicular magnetic recording layer, it is important to form ferromagnetic ultrathin films with a flat and clean interface on an MgO tunneling barrier layer. In this work, we developed the formation process of crystalline CoFe ultrathin films using cryogenic temperature deposition at 100 K, and demonstrated the perpendicular magnetic anisotropy of 0.14 mJ/m2, voltage-controlled magnetic anisotropy efficiency exceeding 100 fJ/Vm, and voltage-controlled magnetization switching. | |
| キーワード | （和） | 磁気トンネル接合 / 低温成膜 / 垂直磁気異方性 / 電圧誘起磁化反転 / / / / |
| （英） | magnetic tunnel junction / cryogenic temperature deposition / perpendicular magnetic anisotropy / voltage induced magnetization switching / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 201, MRIS2025-8, pp. 12-17, 2025年10月. | |
| 資料番号 | MRIS2025-8 | |
| 発行日 | 2025-10-09 (MRIS, CPM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MRIS2025-8 CPM2025-38 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM MRIS ITE-MMS |
| 開催期間 | 2025-10-16 - 2025-10-17 |
| 開催地（和） | 豊橋技術科学大学 (サテライト•オフィス) |
| 開催地（英） | Toyohashi Univ. Tech. (emCAMPUS) |
| テーマ（和） | スピントロニクス・固体メモリ・機能性材料・薄膜プロセス・材料・デバイス＋一般 |
| テーマ（英） | Spintronics, Solid State Memory, Functional material, Thin film process, Material, Devices, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2025-10-CPM-MRIS-MMS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 電圧制御型磁気トンネル接合の高性能化に向けた高品質トップフリーCoFe超薄膜の極低温結晶成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Cryogenic temperature crystal growth of high quality top-free CoFe ultrathin films for high-performance voltage-controlled magnetic tunnel junctions |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 磁気トンネル接合 / magnetic tunnel junction |
| キーワード(2)（和/英） | 低温成膜 / cryogenic temperature deposition |
| キーワード(3)（和/英） | 垂直磁気異方性 / perpendicular magnetic anisotropy |
| キーワード(4)（和/英） | 電圧誘起磁化反転 / voltage induced magnetization switching |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 一ノ瀬 智浩 / Tomohiro Ichinose / イチノセ トモヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 竜也 / Tatsuya Yamamoto / ヤマモト タツヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野﨑 隆行 / Takayuki Nozaki / ノザキ タカユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 薬師寺 啓 / Kay Yakushiji / ヤクシジ ケイ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田丸 慎吾 / Shingo Tamaru / タマル シンゴ |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 湯浅 新治 / Shinji Yuasa / ユアサ シンジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-10-16 15:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MRIS2025-8, CPM2025-38 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.201(MRIS), no.202(CPM) |
| ページ範囲 | pp.12-17 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2025-10-09 (MRIS, CPM) |
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