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講演抄録/キーワード
講演名 2025-10-22 16:00
MEMS技術を用いない低周波帯用ScAlN厚膜pMUT
○遠藤 樹・柳谷隆彦(早大) US2025-39
抄録 (和) 現在、pMUTの圧電材料としてPZT薄膜が用いられているが、受信側のpMUTには、Sc濃度40%のScAlN膜が有望視されている。pMUTの作製にはMEMS技術が用いられるが、少量多品種のpMUT生産においては不向きかもしれない。そこで本研究では、MEMS技術を用いずに20 µmのScAlN厚膜を25 µmのタングステン箔の上に成膜し、結晶配向性とインピーダンス特性を測定した。その結果、共振周波数280 kHzのたわみ振動(keff2=1.7%)、共振周波数138 MHzの厚み縦振動(kt2=8.6%)を得た。さらに、作製したpMUTを用いた超音波イメージングに成功した。 
(英) PZT thin films have been utilized as the piezoelectric layer of the pMUTs. ScAlN films are good candidate for lead-free material as a receiver pMUT. In general, MEMS technology is used when pMUT arrays are fabricated. However, it is desirable to avoid MEMS technology for high-mix low-volume production. In this study, pMUTs with 40% ScAlN thick films were fabricated without using MEMS technology. Flexural resonant frequency of 280 kHz(with keff2=1.7%)and thickness extensional mode of 138 MHz(with kt2=8.6%)were obtained. In addition, we succeeded in obtaining ultrasound imaging with the fabricated pMUTs.
キーワード (和) pMUT / ScAlN / 厚膜 / 圧電薄膜 / / / /  
(英) pMUT / ScAlN / Thick films / Piezoelectric thin films / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 125, no. 207, US2025-39, pp. 29-32, 2025年10月.
資料番号 US2025-39 
発行日 2025-10-15 (US) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード US2025-39

研究会情報
研究会 US  
開催期間 2025-10-22 - 2025-10-22 
開催地(和) 東北大学 + オンライン開催 
開催地(英) Tohoku Univ. 
テーマ(和) 光音響,医用超音波,超音波一般
(共催:東北大学電気通信研究所 超音波エレクトロニクス研究会,レーザー学会 光音響イメージング技術専門委員会) 
テーマ(英) Photoacoustics, Ultrasound in medicine, Ultrasonics, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 US 
会議コード 2025-10-US 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) MEMS技術を用いない低周波帯用ScAlN厚膜pMUT 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducer Based on 40% ScAlN Thick Films without MEMS Technology 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) pMUT / pMUT  
キーワード(2)(和/英) ScAlN / ScAlN  
キーワード(3)(和/英) 厚膜 / Thick films  
キーワード(4)(和/英) 圧電薄膜 / Piezoelectric thin films  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 樹 / Itsuki Endo / エンドウ イツキ
第1著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 柳谷 隆彦 / Takahiko Yanagitani /
第2著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2025-10-22 16:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 US 
資料番号 US2025-39 
巻番号(vol) vol.125 
号番号(no) no.207 
ページ範囲 pp.29-32 
ページ数 4 
発行日 2025-10-15 (US) 


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