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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-10-31 16:00 酸化ガリウム薄膜のヘテロエピタキシャル成長と表面制御 ○今泉文伸（小山高専）  SDM2025-53 |
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| 抄録 | （和） | 現在、機械、電気、医療等の様々な分野で、これまでより省電力なデバイスの開発が盛んに行われている。Ga2O3はワイドバンドギャップ材料（Eg = 4.9eV）であり、パワーデバイスに用いるとGaNやSiCなどの現行のパワーデバイスより高耐圧で低損失なデバイス特性が得られると期待されている材料である。 本研究では、サファイア基板上にRFスパッタリング法を用いて基板温度を変化させながら酸化ガリウム薄膜を形成し、XRDを用いてアニール温度の違いによる薄膜の配向性の変化について調べた。基板温度を200℃まで上昇し、入射電力を30Wで成膜を行ったところ、酸化カリウムの成膜速度は常温に比べて1.4倍まで上昇した。また、400度まで基板温度を上昇したが配向性には大きな変化は見られなかった。 |
| （英） | Ga₂O₃ is a wide-bandgap material (Eg = 4.9 eV), and when used in power devices, it is expected to exhibit a higher breakdown voltage and lower loss characteristics than current power devices such as GaN and SiC. In this study, gallium oxide thin films were deposited on sapphire substrates by RF sputtering at various substrate temperatures, and the changes in film orientation after annealing at different temperatures were investigated using XRD. When the substrate temperature during deposition was increased to 200°C, the deposition rate of gallium oxide became up to 1.4 times higher than that at room temperature. No significant change in orientation was observed. | |
| キーワード | （和） | 酸化ガリウム / サファイア基板 / / / / / / |
| （英） | Gallium Oxide / Sapphire Substrate / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 220, SDM2025-53, pp. 26-29, 2025年10月. | |
| 資料番号 | SDM2025-53 | |
| 発行日 | 2025-10-24 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2025-53 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2025-10-31 - 2025-10-31 |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | NICHe, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2025-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 酸化ガリウム薄膜のヘテロエピタキシャル成長と表面制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Heteroepitaxial growth and surface control of gallium oxide thin films |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化ガリウム / Gallium Oxide |
| キーワード(2)（和/英） | サファイア基板 / Sapphire Substrate |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今泉 文伸 / Fuminobu Imaizumi / イマイズミ フミノブ |
| 第1著者 所属（和/英） | 小山工業高等専門学校 (略称： 小山高専) National Institute of Technology, Oyama College (略称： NIT, Oyama college) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-10-31 16:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2025-53 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.220 |
| ページ範囲 | pp.26-29 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2025-10-24 (SDM) |
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