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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-10-31 14:50 Investigation of LaBₓNᵧ/N-doped LaB₆ Gate Stack Formed by Reactive Sputtering utilizing LaB₆ Metal Target for Pentacene-based Organic Field-Effect Transistors ○Kaiyun Tseng・Shun-ichiro Ohmi（Science Tokyo）  SDM2025-52 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | In this study, the LaBₓNy/N-doped LaB₆ gate stack formation was investigated for pentacene-based organic field-effect transistors (OFETs) using a reactive sputtering process with LaB₆ target. Because the nitrogen-doped LaB₆ (N-doped LaB6) target is not commercially available currently, this work focused on N-doped LaB₆ electrodes and LaBₓNy insulator formations by the reactive sputtering utilizing conventional LaB6 target. The 10 nm thick LaBxNy deposited on p-Si(100) by the Ar/N2 flow ratio of 10/7 sccm showed negligible hysteresis in C-V characteristic with higher εr of 6.7 after 400℃/1min annealed in N2. The 10 nm thick N-doped LaB6 electrode deposited by the Ar/N2 flow ratio of 10/0.1 sccm showed the resistivity of 0.037 mΩcm after 400℃/1min annealed in N2. The N-doped LaB₆ electrode exhibited lower resistivity and improved interfacial stability with reduced leakage and frequency dispersion compared with Al/undoped LaB₆ electrodes. The pentacene-based OFET with LaBxNy/N-doped LaB6 gate stack showed high mobility of 0.76 cm2/Vs. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | OFET / LaB6 metal target / N-doped LaB6 / LaBxNy / RF sputtering / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 220, SDM2025-52, pp. 21-25, 2025年10月. | |
| 資料番号 | SDM2025-52 | |
| 発行日 | 2025-10-24 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2025-52 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2025-10-31 - 2025-10-31 |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | NICHe, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2025-10-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of LaBₓNᵧ/N-doped LaB₆ Gate Stack Formed by Reactive Sputtering utilizing LaB₆ Metal Target for Pentacene-based Organic Field-Effect Transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / OFET |
| キーワード(2)（和/英） | / LaB6 metal target |
| キーワード(3)（和/英） | / N-doped LaB6 |
| キーワード(4)（和/英） | / LaBxNy |
| キーワード(5)（和/英） | / RF sputtering |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | ツォン カイユン / Kaiyun Tseng / ツォン カイユン |
| 第1著者 所属（和/英） | 東大学京科学 (略称： 東京科学大) Science Tokyo (略称： Science Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東大学京科学 (略称： 東京科学大) Science Tokyo (略称： Science Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-10-31 14:50:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2025-52 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.220 |
| ページ範囲 | pp.21-25 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2025-10-24 (SDM) |
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