| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-10-31 13:20 ［招待講演］ミニマル反応性スパッタ装置を用いたHfNx強誘電体膜の形成 ○野田周一（産総研）・原 史朗（産総研、Hundred）  SDM2025-49 |
|
| 抄録 | （和） | ハーフインチウエハを用いるミニマルファブでは様々なデバイスに対応した遷移金属窒化物の反応性スパッタ装置・プロセスを開発しており、これらの知見を基に強誘電性HfNx薄膜の形成を検討している。その結果、強誘電性が得られると予想される原子組成比、結晶構造、電気的測定結果が得られた。 |
| （英） | In Minimal Fab using half-inch wafers, reactive sputtering tool and its processes for transition metal nitrides compatible with a variety of devices have been developed. Using the tool and processes the formation of HfNx thin films is being investigated. As a result, the atomic composition ratio, crystal structure, and electrical characteristics indicate that the thin films formed on silicon substrate are ferroelectric HfNx. | |
| キーワード | （和） | 強誘電体HfNx / MFS FET / ミニマルファブ / 反応性スパッタ / FeRAM / 不揮発性メモリ / / |
| （英） | Ferroelectric HfNx / MFS FET / Minimaru Fab / Reactive spettering / FeRAM / Nonvolatile memory / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 220, SDM2025-49, pp. 10-13, 2025年10月. | |
| 資料番号 | SDM2025-49 | |
| 発行日 | 2025-10-24 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2025-49 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2025-10-31 - 2025-10-31 |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | NICHe, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2025-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ミニマル反応性スパッタ装置を用いたHfNx強誘電体膜の形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ferroelectric HfNx Film Formation Using Minimal Fab Reactive Sputtering Tool |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体HfNx / Ferroelectric HfNx |
| キーワード(2)（和/英） | MFS FET / MFS FET |
| キーワード(3)（和/英） | ミニマルファブ / Minimaru Fab |
| キーワード(4)（和/英） | 反応性スパッタ / Reactive spettering |
| キーワード(5)（和/英） | FeRAM / FeRAM |
| キーワード(6)（和/英） | 不揮発性メモリ / Nonvolatile memory |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野田 周一 / Shuichi Noda / ノダ シュウイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 史朗 / Shiro Hara / ハラ シロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所、Hundred Semiconductors (略称： 産総研、Hundred) Advanced Industrial Science and Technology, Hundred Semiconductors (略称： AIST, Hundred) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-10-31 13:20:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2025-49 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.220 |
| ページ範囲 | pp.10-13 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2025-10-24 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]