| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-10-31 14:00 Influence of annealing ambient on the ferroelectric characteristics of HfN thin films formed by ECR-plasma sputtering ○Kangbai Li・Shun'ichiro Ohmi（Science Tokyo）  SDM2025-50 |
|
| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | In this paper, the annealing ambient dependences on the ferroelectric HfN1.15 formed by ECR-plasma sputtering was investigated. The annealing in He ambient suppressed frequency dispersion in C-V characteristics for Al/HfN0.5/HfN1.15/p-Si(100) MFS diode. The Tri-PUND results demonstrate that annealing in He ambient significantly increase the remnant polarization from 1.7 µC/cm2 to 8.1µC/cm2, which is high enough for metal-ferroelectric-Si field-effect transistor (MFSFET) application. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | Hafnium nitride / ECR-plasma sputtering / annealing ambient / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 220, SDM2025-50, pp. 14-17, 2025年10月. | |
| 資料番号 | SDM2025-50 | |
| 発行日 | 2025-10-24 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2025-50 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2025-10-31 - 2025-10-31 |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | NICHe, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2025-10-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Influence of annealing ambient on the ferroelectric characteristics of HfN thin films formed by ECR-plasma sputtering |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Hafnium nitride |
| キーワード(2)（和/英） | / ECR-plasma sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | / annealing ambient |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Kangbai Li / Kangbai Li / KANGBAI LI |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京科学大学 (略称： 科学大) Institute of Science Tokyo (略称： Science Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun'ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京科学大学 (略称： 科学大) Institute of Science Tokyo (略称： Science Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-10-31 14:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2025-50 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.220 |
| ページ範囲 | pp.14-17 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2025-10-24 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]