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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-11-13 15:20 GaAs基板を用いたX帯内部整合型高出力GaN増幅器 ○齋木研人・神岡 純・石橋拓真・新庄真太郎（三菱電機）  MW2025-163 |
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| 抄録 | （和） | GaAs基板を入出力整合回路として用いたX帯内部整合型GaN高出力増幅器について報告する．レーダシステムの高性能化には送信用電力増幅器の高出力化が要求されているため，増幅素子に高電圧動作が可能なGaNデバイスの適用が進められている．レーダ向け高出力増幅器としては，マルチセル構造のFETチップと，整合回路やバイアス回路を装荷した外部基板を組み合わせ，それぞれのチップや基板同士を接続する内部整合型FETとする手法が多く用いられている[1][2]．本報告では，GaN on-SiCプロセスを用いたマルチセルFETチップに加えて，整合回路をGaAs基板上に装荷したX帯向け内部整合型GaN増幅器を試作し，評価した．その結果、比帯域21%において出力電力46.7dBm以上，利得8.7dB以上，PAE45.3%以上が得られ，X帯のような比較的高い周波数においても，GaAs基板を組み合わせた内部整合型FET構造で高出力，高効率動作を実現できることを示した． |
| （英） | This paper reports an X-band internally matched GaN high-power amplifier using GaAs substrates as the input/output matching circuit. The demand for high output power in power amplifiers for radar systems necessitates the use of GaN devices capable of high-voltage operation. For high-power amplifiers aimed at radar applications, a common approach is to combine multi-cell FET chips with an external substrate that includes matching circuits and bias circuits, connecting the respective chips and substrates[1][2]. In this report, we developed and evaluated an internally matched GaN amplifier for the X-band with the matching circuit mounted on GaAs substrates. As a result, we achieved an output power of over 46.7 dBm, a gain of over 8.7 dB, and a power-added efficiency (PAE) of over 45.3% across a bandwidth of 21%. This demonstrates that high output and high efficiency operation can be realized even at relatively high frequencies like the X-band using an internally matched FET structure combined with a GaAs substrate. | |
| キーワード | （和） | 電力増幅器 / MMIC / GaN / GaAs / / / / |
| （英） | Power amplifiers / MMIC / GaN / GaAs / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 247, MW2025-163, pp. 38-41, 2025年11月. | |
| 資料番号 | MW2025-163 | |
| 発行日 | 2025-11-06 (MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2025-163 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2025-11-13 - 2025-11-14 |
| 開催地（和） | プリシアリゾートヨロン |
| 開催地（英） | PRICIA RESORT YORON |
| テーマ（和） | マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Microwave, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2025-11-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaAs基板を用いたX帯内部整合型高出力GaN増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | X-Band Internally-Matched GaN High Power Amplifier Using Matching Circuit on GaAs Substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電力増幅器 / Power amplifiers |
| キーワード(2)（和/英） | MMIC / MMIC |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋木 研人 / Kento Saiki / サイキ ケント |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神岡 純 / Jun Kamioka / カミオカ ジュン |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石橋 拓真 / Takuma Ishibashi / イシバシ タクマ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新庄 真太郎 / Shintaro Shinjo / シンジョウ シンタロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-11-13 15:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2025-163 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.247 |
| ページ範囲 | pp.38-41 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2025-11-06 (MW) |
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