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講演抄録/キーワード
講演名 2025-11-13 16:05
[招待講演]3次元方向のスケーリングに耐えるGAAコンパクトモデルの開発と検証
神澤雅俊信州大)・三浦道子菊地原秀行飯塚貴弘広島大)・上口 光信州大SDM2025-59
抄録 (和) 本研究では,3次元方向のサイズ依存性を考慮した回路シミュレーションモデルHiSIM_GAA(Gate-All-Around)を用いたスケーリング予測の精度を,しきい値電圧{/it V}_{th}の解析によって評価した.モデルは表面のみならず3方向のポテンシャル分布そのものを正確に記述することに注力し,これによって誘起される3方向の電界集中の和が{/it V}_{th}として観測されることを確認した.今回のターゲットデバイスサイズは膜厚{/it T}_{Si} = 5 nmとし,この世代で明らかな膜内全体のポテンシャル分布から誘起されるキャリアの積分によって{/it V}_{th}を計算した.HiSIM_GAAから計算される{/it V}_{th}はポ3次元デバイスシミュレーション結果と比較して{/it T}_{Si} = 5 nmまでは正確に再現していることを確認した.3方向のスケーリングで{/it V}_{th}に大きく影響するのが,チャネル長で,続いて{/it T}_{Si}の短縮,最後にチャネル幅{/it W}ということが分かった.しかし{/it W}の縮小はむしろ{/it V}_{th}の増加を招き,{/it L}の縮小を補うということが分かった. 
(英)
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文献情報 信学技報, vol. 125, no. 246, SDM2025-59, pp. 23-27, 2025年11月.
資料番号 SDM2025-59 
発行日 2025-11-06 (SDM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2025-59

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2025-11-13 - 2025-11-14 
開催地(和) 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 
開催地(英)  
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2025-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 3次元方向のスケーリングに耐えるGAAコンパクトモデルの開発と検証 
サブタイトル(和)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 神澤 雅俊 / / カンザワ マサトシ
第1著者 所属(和/英) 信州大学 (略称: 信州大)
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第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 道子 / /
第2著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
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第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 菊地原 秀行 / /
第3著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
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第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 飯塚 貴弘 / /
第4著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
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第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 上口 光 / /
第5著者 所属(和/英) 信州大学 (略称: 信州大)
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講演者 第1著者 
発表日時 2025-11-13 16:05:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2025-59 
巻番号(vol) vol.125 
号番号(no) no.246 
ページ範囲 pp.23-27 
ページ数
発行日 2025-11-06 (SDM) 


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