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講演抄録/キーワード
講演名 2025-11-20 13:15
表面活性化接合とドライエッチングを用いたダイヤモンド基板上GaNメサ構造の絶縁特性
○砂本陽成(阪公立大)・末光哲也(東北大)・嶋岡毅紘・山田英明(産総研)・梁 剣波・重川直輝(阪公立大) ED2025-26 CPM2025-54 LQE2025-50
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文献情報 信学技報, vol. 125, no. 257, ED2025-26, pp. 13-16, 2025年11月.
資料番号 ED2025-26 
発行日 2025-11-13 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード ED2025-26 CPM2025-54 LQE2025-50

研究会情報
研究会 CPM ED LQE  
開催期間 2025-11-20 - 2025-11-21 
開催地(和) 天文館ビジョンホール 
開催地(英) TENMONKAN VISION HALL 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2025-11-CPM-ED-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 表面活性化接合とドライエッチングを用いたダイヤモンド基板上GaNメサ構造の絶縁特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Isolation Characteristics of GaN Mesas on Diamond Substrates Fabricated Using the Surface-Activated Bonding and Dry Etching 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 砂本 陽成 / Yosei Sunamoto / スナモト ヨウセイ
第1著者 所属(和/英) 大阪公立大学 (略称: 阪公立大)
Osaka Metropolitan University (略称: Osaka Metropolitan Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 末光 哲也 / Tetsuya Suemitsu / スエミツ テツヤ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 嶋岡 毅紘 / Takeshiro Shimaoka / シマオカ タケシロ
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 英明 / Hideaki Yamada / ヤマダ ヒデアキ
第4著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 梁 剣波 / Jianbo Liang / リョウ ケンボ
第5著者 所属(和/英) 大阪公立大学 (略称: 阪公立大)
Osaka Metropolitan University (略称: Osaka Metropolitan Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 重川 直輝 / Naoteru Shigekawa / シゲカワ ナオテル
第6著者 所属(和/英) 大阪公立大学 (略称: 阪公立大)
Osaka Metropolitan University (略称: Osaka Metropolitan Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2025-11-20 13:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2025-26, CPM2025-54, LQE2025-50 
巻番号(vol) vol.125 
号番号(no) no.257(ED), no.258(CPM), no.259(LQE) 
ページ範囲 pp.13-16 
ページ数 4 
発行日 2025-11-13 (ED, CPM, LQE) 


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