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講演抄録/キーワード
講演名 2025-11-20 14:40
屈折率導波型AlGaN系UV-Bレーザーダイオードの作製とその連続波発振の実証
○三宅倫太郎・齋藤功夢・丸山竣大・狩野祥吾・佐々木祐輔・神谷始音・渡辺崚太・宮本侑茉・橘田直樹・加藤晴也・岩山 章・竹内哲也・上山 智(名城大)・三宅秀人(三重大)・岩谷素顕(名城大) ED2025-29 CPM2025-57 LQE2025-53
抄録 (和) 本研究では、量産性に優れたサファイア基板上に形成した格子緩和AlGaNテンプレートを用いて作製したAlGaN系UV-Bレーザーダイオードにより、波長318 nmでの室温連続波(CW)発振を世界で初めて実現した。横方向の屈折率差を利用したリッジ導波路構造の最適化により、残りエッチング深さ100 nmが最適条件であることを数値解析および実験から明らかにした。さらに、高反射SiO₂/Ta₂O₅ DBRミラーの導入と多結晶AlNサブマウントへのジャンクションダウン実装により、光損失の低減と放熱性向上を両立し、64 mA(4.3 kA/cm²)の閾値電流にてCW動作を達成した。本成果は、医療・産業分野に向けた高信頼・高性能UV-Bレーザー光源の実用化に向けて重要な進展を示すものである。 
(英) In this study, we achieved, for the first time in the world, room-temperature continuous-wave (CW) lasing at a wavelength of 318 nm from an AlGaN-based UV-B laser diode fabricated on a lattice-relaxed AlGaN template formed on a sapphire substrate with excellent mass productivity. Through optimization of a ridge-waveguide structure utilizing lateral refractive-index contrast, numerical analysis and experimental results revealed that a remaining etching depth of 100 nm is the optimal condition. Furthermore, by introducing high-reflectivity SiO₂/Ta₂O₅ distributed Bragg reflector (DBR) mirrors and employing junction-down mounting on a polycrystalline AlN submount, both low optical loss and efficient heat dissipation were achieved, resulting in CW operation with a threshold current of 64 mA (4.3 kA/cm²).
These results represent a significant advancement toward the realization of reliable and high-performance UV-B laser light sources for medical and industrial applications
キーワード (和) 半導体 / レーザーダイオード / UV-B領域(波長λ: 280nm~315nm)) / 室温連続波発振 / / / /  
(英) Semiconductor / Laser diode / UV-B region (wavelength λ: 280-315 nm) / Room-temperature continuous-wave lasing / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 125, no. 259, LQE2025-53, pp. 25-28, 2025年11月.
資料番号 LQE2025-53 
発行日 2025-11-13 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2025-29 CPM2025-57 LQE2025-53

研究会情報
研究会 CPM ED LQE  
開催期間 2025-11-20 - 2025-11-21 
開催地(和) 天文館ビジョンホール 
開催地(英) TENMONKAN VISION HALL 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2025-11-CPM-ED-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 屈折率導波型AlGaN系UV-Bレーザーダイオードの作製とその連続波発振の実証 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication of refractive index waveguide AlGaN-based UV-B laser diodes and demonstration of their continuous wave oscillation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 半導体 / Semiconductor  
キーワード(2)(和/英) レーザーダイオード / Laser diode  
キーワード(3)(和/英) UV-B領域(波長λ: 280nm~315nm)) / UV-B region (wavelength λ: 280-315 nm)  
キーワード(4)(和/英) 室温連続波発振 / Room-temperature continuous-wave lasing  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 三宅 倫太郎 / Rintaro Miyake / ミヤケ リンタロウ
第1著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 齋藤 功夢 / Takumu Saito / サイトウ タクム
第2著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 丸山 竣大 / Shundai Maruyama / マルヤマ シュンダイ
第3著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 狩野 祥吾 / Shogo Karino / カリノ ショウゴ
第4著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐々木 祐輔 / Yusuke Sasaki / ササキ ユウスケ
第5著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 神谷 始音 / Shion Kamiya / カミヤ シオン
第6著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 崚太 / Ryota Watanabe / ワタナベ リョウタ
第7著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮本 侑茉 / Yuma Miyamoto / ミヤモト ユウマ
第8著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 橘田 直樹 / Naoki Kitta / キッタ ナオキ
第9著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 晴也 / Seiya Kato / カトウ セイヤ
第10著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩山 章 / Sho Iwayama / イワヤマ ショウ
第11著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ
第12著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ
第13著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト
第14著者 所属(和/英) 三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie Univ.)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ
第15著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2025-11-20 14:40:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2025-29, CPM2025-57, LQE2025-53 
巻番号(vol) vol.125 
号番号(no) no.257(ED), no.258(CPM), no.259(LQE) 
ページ範囲 pp.25-28 
ページ数 4 
発行日 2025-11-13 (ED, CPM, LQE) 


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