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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-11-21 11:50 GaN表面のミスト熱酸化 ○谷田部然治（北大）・濵砂涼介・平倉拓海・ソー ティン ヌ・中村有水（熊本大）  ED2025-36 CPM2025-64 LQE2025-60 |
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| 抄録 | （和） | 安価でエコフレンドリーなミスト化学気相成長（CVD）法は，主に酸化物半導体の結晶成長技術として研究が進められているが，近年ではゲート絶縁膜堆積プロセスへの応用など，結晶成長以外のプロセスへの展開も進められている．本研究では，ミストCVD法をGaN系半導体の表面酸化プロセスへ応用するとともに，ミストCVD法における酸化物薄膜堆積メカニズムの解明を目的とした．SiおよびGaN表面に対してミストCVD法を用いた熱酸化を試みた結果，ミスト熱酸化SiO₂は一般的な熱酸化SiO₂と同等の屈折率および絶縁破壊電界を示した．また，GaNに対しては800 °C以上でGa₂O₃酸化膜が得られた．さらに酸化プロセスの解析結果から，ミスト熱酸化はドライ酸化よりもウェット酸化に近い特性を有する可能性が示唆された． |
| （英） | Mist chemical vapor deposition (CVD) is an eco-friendly and cost-effective technique mainly used for oxide semiconductor growth. Recently, it has also been applied to other processes such as gate insulator deposition. In this study, we investigated the thermal oxidation of Si and GaN surfaces using mist-CVD to clarify its oxidation mechanism. The mist-oxidized SiO₂ films exhibited a refractive index and breakdown field comparable to those of conventional thermal SiO₂. For GaN, Ga₂O₃ films were formed above 800 °C. The analysis results indicate that the mist thermal oxidation mechanism is more similar to wet oxidation than to dry oxidation. | |
| キーワード | （和） | ミストCVD / ミスト熱酸化 / GaN / / / / / |
| （英） | Mist-CVD / Thermal Oxidation / GaN / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 257, ED2025-36, pp. 53-56, 2025年11月. | |
| 資料番号 | ED2025-36 | |
| 発行日 | 2025-11-13 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2025-36 CPM2025-64 LQE2025-60 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED LQE |
| 開催期間 | 2025-11-20 - 2025-11-21 |
| 開催地（和） | 天文館ビジョンホール |
| 開催地（英） | TENMONKAN VISION HALL |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2025-11-CPM-ED-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN表面のミスト熱酸化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mist Thermal Oxidation of GaN Surface |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ミストCVD / Mist-CVD |
| キーワード(2)（和/英） | ミスト熱酸化 / Thermal Oxidation |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷田部 然治 / Zenji Yatabe / ヤタベ ゼンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 濵砂 涼介 / Ryosuke Hamasuna / ハマスナ リョウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 熊本大学 (略称： 熊本大) Kumamoto University (略称： Kumamoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平倉 拓海 / Takumi Hirakura / ヒラクラ タクミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 熊本大学 (略称： 熊本大) Kumamoto University (略称： Kumamoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | ソー ティン ヌ / Thin Nu Soe / ソー ティン ヌ |
| 第4著者 所属（和/英） | 熊本大学 (略称： 熊本大) Kumamoto University (略称： Kumamoto Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 有水 / Yusui Nakamura / ナカムラ ユウスイ |
| 第5著者 所属（和/英） | 熊本大学 (略称： 熊本大) Kumamoto University (略称： Kumamoto Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-11-21 11:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2025-36, CPM2025-64, LQE2025-60 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.257(ED), no.258(CPM), no.259(LQE) |
| ページ範囲 | pp.53-56 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2025-11-13 (ED, CPM, LQE) |
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