| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2025-11-21 13:45
赤色発光InGaN系LEDエピ膜における光学利得スペクトル測定 ○新保 樹・山口敦史(金沢工大)・飯田大輔・大川和宏(KAUST) ED2025-37 CPM2025-65 LQE2025-61 |
| 抄録 |
(和) |
半導体レーザでは,550 – 600 nmの発振波長のものが実現していない.この未発振波長領域における発光材料候補としてInGaNが期待されている.本研究では,製造法を工夫し結晶品質を高めた赤色発光InGaN系LEDエピ膜に対し,励起長可変法に基づく光学利得スペクトル測定を極低温(3 K)において実施した.その結果,発光波長550 nm,光学損失がほぼゼロとなる光学利得のピークを確認した.この利得ピークが赤色領域よりも短波長側かつ,光学利得が正味で負値である原因は,赤色発光InGaN量子井戸におけるIn混晶組成揺らぎ, および,光閉じ込め係数の波長依存性であると考えられる.また,現在のLEDエピ膜における層構造に,ガイド層およびクラッド層を積層し,分離閉じ込めヘテロ構造を導入した際の光閉じ込め係数を計算し,光学利得の増大・長波長化を検討した. |
| (英) |
Laser diodes operating in the 550 - 600 nm wavelength range have not yet been realized. In this unrealized wavelength region, InGaN is regarded as a promising candidate of the emission material. In this study, we performed optical gain spectroscopy at cryogenic temperature (3 K) on a red-light-emitting InGaN-based LED epitaxial layer with enhanced crystalline quality. As a result, a gain-like peak has been observed at 550 nm, accompanied by a reduction of optical loss to nearly zero. The insufficient and short-wavelength optical gain is considered to arise from alloy compositional fluctuations and the wavelength dependence of the optical confinement factors (OCFs) in a red InGaN quantum well. Furthermore, to enhance the gain and extend it to longer wavelengths, OCFs were calculated assuming the insertion of a cladding layer into the present LED epitaxial structure. |
| キーワード |
(和) |
InGaN量子井戸 / 励起長可変法 / 光学利得スペクトル / 光閉じ込め係数 / / / / |
| (英) |
InGaN quantum well / Variable stripe length method / Optical gain spectrum / Optical confinement factor / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 125, no. 259, LQE2025-61, pp. 57-60, 2025年11月. |
| 資料番号 |
LQE2025-61 |
| 発行日 |
2025-11-13 (ED, CPM, LQE) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
ED2025-37 CPM2025-65 LQE2025-61 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
CPM ED LQE |
| 開催期間 |
2025-11-20 - 2025-11-21 |
| 開催地(和) |
天文館ビジョンホール |
| 開催地(英) |
TENMONKAN VISION HALL |
| テーマ(和) |
窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般 |
| テーマ(英) |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
LQE |
| 会議コード |
2025-11-CPM-ED-LQE |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
赤色発光InGaN系LEDエピ膜における光学利得スペクトル測定 |
| サブタイトル(和) |
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| タイトル(英) |
Optical gain spectroscopy of a red-light-emitting InGaN-based LED epitaxial layer |
| サブタイトル(英) |
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| キーワード(1)(和/英) |
InGaN量子井戸 / InGaN quantum well |
| キーワード(2)(和/英) |
励起長可変法 / Variable stripe length method |
| キーワード(3)(和/英) |
光学利得スペクトル / Optical gain spectrum |
| キーワード(4)(和/英) |
光閉じ込め係数 / Optical confinement factor |
| キーワード(5)(和/英) |
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| キーワード(6)(和/英) |
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| キーワード(7)(和/英) |
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| キーワード(8)(和/英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
新保 樹 / Itsuki Shimbo / シンボ イツキ |
| 第1著者 所属(和/英) |
金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: Kanazawa Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
山口 敦史 / Atsushi A. Yamaguchi / 山口 敦史 |
| 第2著者 所属(和/英) |
金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: Kanazawa Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
飯田 大輔 / Daisuke Iida / イイダ ダイスケ |
| 第3著者 所属(和/英) |
Abdullah王立科学技術大学 (略称: KAUST)
Abdullah University of Science and Technology (略称: KAUST) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
大川 和宏 / Kazuhiro Ohkawa / オオカワ カズヒロ |
| 第4著者 所属(和/英) |
Abdullah王立科学技術大学 (略称: KAUST)
Abdullah University of Science and Technology (略称: KAUST) |
| 第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2025-11-21 13:45:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
LQE |
| 資料番号 |
ED2025-37, CPM2025-65, LQE2025-61 |
| 巻番号(vol) |
vol.125 |
| 号番号(no) |
no.257(ED), no.258(CPM), no.259(LQE) |
| ページ範囲 |
pp.57-60 |
| ページ数 |
4 |
| 発行日 |
2025-11-13 (ED, CPM, LQE) |
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