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講演抄録/キーワード
講演名 2025-11-21 11:00
NiO助触媒を担持したGaN系光陽極を用いた光水分解特性
熊倉一英北大)・山下雄大平間一行谷保芳孝NTT)・佐藤威友北大ED2025-34 CPM2025-62 LQE2025-58
抄録 (和) 半導体や触媒を用いて高効率な人工光合成が実現すると、太陽光エネルギーを利用した二酸化炭素の還元による化学物質の生成(化学エネルギー変換)など、GXを推進する中核技術の一つになる。GaN系半導体は、そのバンドギャップが水素の還元電位と水の酸化電位を跨いでいることから、外部電源なしに光水分解が可能な光陽極としての可能性がある。本報告では、GaN系光陽極とその表面に担持した助触媒による、光水分解特性について報告する。 
(英) High-efficiency artificial photosynthesis using semiconductors and catalysts could become a core technology for advancing GX, enabling chemical energy conversion such as the production of chemicals through the reduction of carbon dioxide using solar energy. GaN-based semiconductors hold potential as photoanodes capable of solar water splitting without an external bias, as their bandgap spans both the hydrogen reduction potential and the water oxidation potential. This report details the photoelectrochemical water splitting performance of a NiO-loaded GaN-based photoanode.
キーワード (和) 窒化物半導体 / 太陽光水分解 / NiO助触媒 / 光電気化学 / / / /  
(英) nitride semiconductors / solar water splitting / NiO co-catalyst / photoelectrochemical reaction / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 125, no. 257, ED2025-34, pp. 45-48, 2025年11月.
資料番号 ED2025-34 
発行日 2025-11-13 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2025-34 CPM2025-62 LQE2025-58

研究会情報
研究会 CPM ED LQE  
開催期間 2025-11-20 - 2025-11-21 
開催地(和) 天文館ビジョンホール 
開催地(英) TENMONKAN VISION HALL 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2025-11-CPM-ED-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) NiO助触媒を担持したGaN系光陽極を用いた光水分解特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Photoelectrochemical water splitting performance using NiO-loaded GaN-based photoanode 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 窒化物半導体 / nitride semiconductors  
キーワード(2)(和/英) 太陽光水分解 / solar water splitting  
キーワード(3)(和/英) NiO助触媒 / NiO co-catalyst  
キーワード(4)(和/英) 光電気化学 / photoelectrochemical reaction  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 熊倉 一英 / Kazuhide Kumakura / クマクラ カズヒデ
第1著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山下 雄大 / Yudai Yamashita / ヤマシタ ユウダイ
第2著者 所属(和/英) NTT株式会社 (略称: NTT)
NTT, Inc. (略称: NTT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 平間 一行 / Kazuyuki Hirama / ヒラマ カズユキ
第3著者 所属(和/英) NTT株式会社 (略称: NTT)
NTT, Inc. (略称: NTT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷保 芳孝 / Yoshitaka Taniyasu / タニヤス ヨシタカ
第4著者 所属(和/英) NTT株式会社 (略称: NTT)
NTT, Inc. (略称: NTT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 威友 / Taketomo Sato / サトウ タケトモ
第5著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2025-11-21 11:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2025-34, CPM2025-62, LQE2025-58 
巻番号(vol) vol.125 
号番号(no) no.257(ED), no.258(CPM), no.259(LQE) 
ページ範囲 pp.45-48 
ページ数
発行日 2025-11-13 (ED, CPM, LQE) 


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