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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-11-21 11:25 p型GaNを用いたMOS構造における界面近傍欠陥の低損傷エッチングと熱処理による制御 ○高橋尚伸・嶋崎喬大・佐藤威友・赤澤正道（北大）  ED2025-35 CPM2025-63 LQE2025-59 |
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| 抄録 | （和） | 850℃でのAlONキャップ層を用いたアニールを行ったp型GaN (p-GaN) MOS試料では、800℃の試料と比較して、容量－電圧特性における正の固定電荷の大幅な低減が観測された。表面近傍のドナー型欠陥の最表面への拡散と消滅による密度低減によるものと考えられる。さらに、光電気化学(PEC)エッチング後に850℃でのアニールを行った試料においては、アニールのみを行った試料と比較してAl2O3/p-GaN界面近傍の正の固定電荷がさらに低減され、バルク内のアクセプター補償も改善された。これはPECエッチングによりp-GaN表面近傍のドナー型欠陥が局在する部分が除去されたために、界面固定電荷の密度低減とともに、バルク側へ拡散するドナー型欠陥の低減したものと考えられる。ドナー型欠陥の起源として窒素空孔の可能性がある。 |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | p型GaN / MOS / ドナー型欠陥 / 光電気化学エッチング / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 257, ED2025-35, pp. 49-52, 2025年11月. | |
| 資料番号 | ED2025-35 | |
| 発行日 | 2025-11-13 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2025-35 CPM2025-63 LQE2025-59 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED LQE |
| 開催期間 | 2025-11-20 - 2025-11-21 |
| 開催地（和） | 天文館ビジョンホール |
| 開催地（英） | TENMONKAN VISION HALL |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2025-11-CPM-ED-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | p型GaNを用いたMOS構造における界面近傍欠陥の低損傷エッチングと熱処理による制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control of near-interface defects by low-damage etching and annealing in MOS structures using p-type GaN |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | p型GaN / |
| キーワード(2)（和/英） | MOS / |
| キーワード(3)（和/英） | ドナー型欠陥 / |
| キーワード(4)（和/英） | 光電気化学エッチング / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 尚伸 / Masanobu Takahashi / タカハシ マサノブ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 嶋崎 喬大 / Takahiro Shimazaki / シマザキ タカヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 威友 / Taketomo Sato / サトウ タケトモ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤澤 正道 / Masamichi Akazawa / アカザワ マサミチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-11-21 11:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2025-35, CPM2025-63, LQE2025-59 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.257(ED), no.258(CPM), no.259(LQE) |
| ページ範囲 | pp.49-52 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2025-11-13 (ED, CPM, LQE) |
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