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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-12-02 10:45 40nm TaOx ReRAMのRead-disturbによる読み出し電流値とRTNの頻度の変化 ○鈴木渉太・三澤奈央子・松井千尋・竹内 健（東大）  VLD2025-30 ICD2025-50 DC2025-63 RECONF2025-81 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では40 nm TaOx ReRAMのリードディスターブ (read-disturb) による読み出し電流値とランダムテレグラフノイズ (random telegraph noise: RTN) の頻度の変化を調査する．電流値の変化とRTNの発生頻度のタイミングを比較することにより，ステートチェンジとドリフトという2つの現象を観測し定義する．ステートチェンジはRTNの発生頻度の増減とともに電流値が小さくなる現象であり，ドリフトはRTNの発生頻度の変化に依存せずに電流値が変化する現象である．ドリフトはステートチェンジより早いタイミングで観測され，電流値の変化する幅が大きい．ステートチェンジとドリフトのどちらの現象においても，読み出し電圧を大きくすると，電流値の変化が大きくなり，RTNの発生回数は増加する． |
| （英） | This work investigates the changes in both reading currents and the frequency of random telegraph noise (RTN) due to read-disturb in 40 nm TaOx ReRAM. Comparing the timing of the shift in its current state and the frequency of RTN reveals two phenomena: State change and Drift. State change is a phenomenon in the current decrease according to the change in the frequency of RTN, and Drift is the other phenomenon in the current change that is independent of the change in the frequency of RTN. Drift is observed earlier than State change, whose amplitude of the change in the current is larger than State change. The larger the reading voltage is, the wider the gap in the current drop is, and the more the frequency of RNT gets in both of State change and Drift. | |
| キーワード | （和） | 抵抗変化型メモリ / リードディスターブ / ランダムテレグラフノイズ / / / / / |
| （英） | ReRAM / read-disturb / random telegraph noise / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 261, ICD2025-50, pp. 74-79, 2025年12月. | |
| 資料番号 | ICD2025-50 | |
| 発行日 | 2025-11-24 (VLD, ICD, DC, RECONF) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2025-30 ICD2025-50 DC2025-63 RECONF2025-81 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD DC RECONF ICD IPSJ-SLDM |
| 開催期間 | 2025-12-01 - 2025-12-03 |
| 開催地（和） | 富山国際会議場（富山） |
| 開催地（英） | Toyama International Conference Center |
| テーマ（和） | デザインガイア2025 -VLSI設計の新しい大地- |
| テーマ（英） | Design Gaia 2025 -New Field of VLSI Design- |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2025-12-VLD-DC-RECONF-ICD-SLDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 40nm TaOx ReRAMのRead-disturbによる読み出し電流値とRTNの頻度の変化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Changes in Read Current and RTN Frequency due to Read-disturb in 40nm TaOx ReRAM |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗変化型メモリ / ReRAM |
| キーワード(2)（和/英） | リードディスターブ / read-disturb |
| キーワード(3)（和/英） | ランダムテレグラフノイズ / random telegraph noise |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 渉太 / Shota Suzuki / スズキ ショウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三澤 奈央子 / Naoko Misawa / ミサワ ナオコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松井 千尋 / Chihiro Matsui / マツイ チヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-12-02 10:45:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | VLD2025-30, ICD2025-50, DC2025-63, RECONF2025-81 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.260(VLD), no.261(ICD), no.262(DC), no.263(RECONF) |
| ページ範囲 | pp.74-79 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2025-11-24 (VLD, ICD, DC, RECONF) |
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