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講演抄録/キーワード
講演名 2025-12-12 10:25
エピタキシャル成長した六方晶窒化ホウ素を絶縁層に用いた平面型電子放出デバイスの開発
村上勝久産総研)・六川 蓮鷹尾祥典横浜国大)・村田博雅長尾昌善産総研ED2025-49
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 125, no. 287, ED2025-49, pp. 27-28, 2025年12月.
資料番号 ED2025-49 
発行日 2025-12-04 (ED) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2025-49

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2025-12-11 - 2025-12-12 
開催地(和) ウインクあいち(愛知県産業労働センター) 
開催地(英) WINC AICHI 
テーマ(和) 電子・イオンビーム応用 
テーマ(英) Applications of electron and ion beam 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2025-12-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) エピタキシャル成長した六方晶窒化ホウ素を絶縁層に用いた平面型電子放出デバイスの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Development of planar type electron emission devices using epitaxially grown hexagonal boron nitirde as an insulating layer 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 村上 勝久 / Katsuhisa Murakami / ムラカミ カツヒサ
第1著者 所属(和/英) 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 六川 蓮 / Ren Mutsukawa / ムツカワ レン
第2著者 所属(和/英) 横浜国立大学 (略称: 横浜国大)
Yokohama National University (略称: YNU)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 鷹尾 祥典 / Yoshinori Takao / タカオ ヨシノリ
第3著者 所属(和/英) 横浜国立大学 (略称: 横浜国大)
Yokohama National University (略称: YNU)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 村田 博雅 / Hiromasa Murata / ムラタ ヒロマサ
第4著者 所属(和/英) 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao / ナガオ マサヨシ
第5著者 所属(和/英) 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2025-12-12 10:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2025-49 
巻番号(vol) vol.125 
号番号(no) no.287 
ページ範囲 pp.27-28 
ページ数
発行日 2025-12-04 (ED) 


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