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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-12-16 14:35 InP系DHBTの遮断周波数・耐圧積の向上にむけたInAlAsコレクタ層のエピタキシャル成長 ○星 拓也・白鳥悠太・中島史人（NTT）  ED2025-54 MWPTHz2025-68 |
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| 抄録 | （和） | 本報告では、InP系DHBTの高耐圧化のための、InP/InAlAs複合コレクタ構造の設計と、結晶成長・電気特性について示す。組成傾斜InxAl1-xAs層の導入により、歪補償と伝導帯オフセット低減効果を有しながら、高Al組成In0.4Al0.6As層を導入する複合構造を提案する。InAlAsの膜厚を制御することで、欠陥の導入を抑制し平坦なモフォロジを得ることが可能となった。130 nmのInP/InAlAs複合コレクタ構造の導入により、200 nmのInPコレクタと同等の耐圧を得られた。このような結果は、今回提案の複合コレクタ構造が、InP系DHBTのさらなる高耐圧化に有効な構造であることを示唆するものである。 |
| （英） | This paper reports on the design, epitaxial growth, and electrical properties of an InP/InAlAs composite collector to enhance the breakdown voltage of InP-based DHBTs. A composite configuration incorporating a high-Al-content In0.4Al0.6As layer was proposed by introducing a compositionally graded InxAl1-xAs layer, which provides strain compensation and mitigates conduction band offset. By precisely controlling the thickness of the high-Al-content In0.4Al0.6As layer, line-shaped defect formation was suppressed, resulting in a smooth surface morphology. Implementation of a 130 nm InP/InAlAs composite collector structure achieved a breakdown voltage comparable to that of a conventional 200 nm InP collector. These findings indicate that the proposed structure is a promising approach for further improving the breakdown voltage of InP-based DHBTs. | |
| キーワード | （和） | InP系DHBT / InP/InAlAs複合コレクタ / 耐圧 / / / / / |
| （英） | InP-based DHBT / InP/InAlAs Composite Collector / Breakdown Voltage / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 292, ED2025-54, pp. 8-11, 2025年12月. | |
| 資料番号 | ED2025-54 | |
| 発行日 | 2025-12-09 (ED, MWPTHz) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2025-54 MWPTHz2025-68 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MWPTHz |
| 開催期間 | 2025-12-16 - 2025-12-17 |
| 開催地（和） | 東北大・通研 |
| 開催地（英） | RIEC, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2025-12-ED-MWPTHz |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InP系DHBTの遮断周波数・耐圧積の向上にむけたInAlAsコレクタ層のエピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A study of epitaxial growth of InAlAs collectors for improving fT*BVceo product of InP-based DHBTs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP系DHBT / InP-based DHBT |
| キーワード(2)（和/英） | InP/InAlAs複合コレクタ / InP/InAlAs Composite Collector |
| キーワード(3)（和/英） | 耐圧 / Breakdown Voltage |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 星 拓也 / Takuya Hoshi / ホシ タクヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | NTT株式会社 (略称： NTT) NTT. Inc. (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白鳥 悠太 / Yuta Shiratori / シラトリ ユウタ |
| 第2著者 所属（和/英） | NTT株式会社 (略称： NTT) NTT. Inc. (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 史人 / Fumito Nakajima / ナカジマ フミト |
| 第3著者 所属（和/英） | NTT株式会社 (略称： NTT) NTT. Inc. (略称： NTT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-12-16 14:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2025-54, MWPTHz2025-68 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.292(ED), no.293(MWPTHz) |
| ページ範囲 | pp.8-11 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2025-12-09 (ED, MWPTHz) |
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