| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2025-12-17 10:00
[招待講演]GaN系共鳴トンネルダイオードを用いたサブテラヘルツ発振器 ○村山雅洋・本林久良・保科幸男・庄司美和子・滝口由朗・宮原宏之・小山享宏・風田川統之(ソニーセミコンダクタソリューションズ) ED2025-58 MWPTHz2025-72 |
| 抄録 |
(和) |
有機金属気相成長法により半絶縁性c面GaN基板上に成長させたGaN系共鳴トンネルダイオード発振器を作製し、サブテラヘルツ発振を実現した。RTDはAlNバリア層とGaN量子井戸層で構成され、最大622 kA/cm²のピーク電流密度、1.56のピーク-バレー電流比を実現した。発振器構造にはボウタイアンテナ一体型のスプリットリング共振器を採用し、低周波側での放射効率を向上させることにより基本周波数92 GHzでの発振を実現した。 |
| (英) |
(Not available yet) |
| キーワード |
(和) |
窒化ガリウム / 共鳴トンネルダイオード / テラヘルツ発振器 / / / / / |
| (英) |
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| 文献情報 |
信学技報, vol. 125, no. 292, ED2025-58, pp. 25-27, 2025年12月. |
| 資料番号 |
ED2025-58 |
| 発行日 |
2025-12-09 (ED, MWPTHz) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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