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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-12-19 12:55 Ar:N₂ガス比変更による極性制御を用いたGeAlN薄膜分極反転構造BAW共振子の形成と評価 ○山本 碧・鈴木雅視・垣尾省司（山梨大）  US2025-51 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では，マグネトロンスパッタ法で形成した単層構造GeAlN薄膜BAW共振子において，成膜時に用いるArとN₂のガス比を調整することにより，GeAlN膜の極性制御を可能とした．またそのガス比による極性制御を用いて，大気開放なしの連続成膜で2層と3層の分極反転構造GeAlN薄膜BAW共振子を作製し，BAW特性の評価を行った． 単層構造GeAlN膜のガス比による極性制御では，Ar:N₂の比が2:1，1:1，0:1のとき純AlNと同様のAl極性を示し，Ar:N₂のガス比が6:1と5:1のときは異常N極性を示した．2層分極反転構造N極性/Al極性GeAlN薄膜 HBARと2層分極反転構造Al極性GeAlN薄膜 HBARでは3.2 GHzで2次モード共振を達成した．3層分極反転構造Al極性/N極性/Al極性GeAlN薄膜 HBARでは4.7 GHzで3次モード共振を達成した． |
| （英） | This paper reports that single-layer GeAlN films could control polar direction of GeAlN film by changing the Ar:N₂ gas ratio in RF magnetron sputtering method. By using this polarity control, two-layer and three-layer polarization-inverted structure GeAlN film HBARs were fabricated and estimated. In single-layer GeAlN film growth，Al polar GeAlN films could be grown in Ar:N₂ gas ratio = 2:1，1:1，0:1. N-polar GeAlN films could be grown in Ar:N₂ gas ratio = 6:1，5:1. The two-layer polarization-inverted N-polar / Al-polar GeAlN film and two-layer Al-polar/N-polar GeAlN film HBARs resonated at 3.2GHz in second overtone mode. The three-layer polarization-inverted Al-polar / N-polar / Al-polar GeAlN film HBAR resonated at 4.7 GHz in third overtone mode. |
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| キーワード | （和） | AlN薄膜 / GeAlN薄膜 / BAWフィルタ / 分極反転多層薄膜 / / / / |
| （英） | AlN film / GeAlN film / BAW filter / Polarization-inverted multilayer film / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 299, US2025-51, pp. 58-61, 2025年12月. | |
| 資料番号 | US2025-51 | |
| 発行日 | 2025-12-11 (US) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | US2025-51 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EA US |
| 開催期間 | 2025-12-18 - 2025-12-19 |
| 開催地（和） | 崇城大学 池田キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | ＜音響・超音波サブソサイエティ合同研究会＞ 応用／電気音響，超音波一般 |
| テーマ（英） | [Joint Meeting on Acoustics and Ultrasonics Subsociety] Engineering/Electro Acoustics, Ultrasonics, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | US |
| 会議コード | 2025-12-EA-US |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ar:N₂ガス比変更による極性制御を用いたGeAlN薄膜分極反転構造BAW共振子の形成と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Polarization-inverted structure GeAlN thin film BAW resonators using polarity control by Ar:N₂ gas ratio adjustment |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlN薄膜 / AlN film |
| キーワード(2)（和/英） | GeAlN薄膜 / GeAlN film |
| キーワード(3)（和/英） | BAWフィルタ / BAW filter |
| キーワード(4)（和/英） | 分極反転多層薄膜 / Polarization-inverted multilayer film |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 碧 / Aoi Yamamoto / ヤマモト アオイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 山梨大学 (略称： 山梨大) Yamanashi University (略称： Univ. Yamanashi) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 雅視 / Masashi Suzuki / スズキ マサシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 山梨大学 (略称： 山梨大) Yamanashi University (略称： Univ. Yamanashi) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 垣尾 省司 / Shoji kakio / カキオ ショウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 山梨大学 (略称： 山梨大) Yamanashi University (略称： Univ. Yamanashi) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-12-19 12:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | US |
| 資料番号 | US2025-51 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.299 |
| ページ範囲 | pp.58-61 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2025-12-11 (US) |
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