| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2025-12-27 10:30 ICP-RFプラズマCVDによるSiOx膜の作製 ○髙橋佑太・坂本幸弘（千葉工大）・蓬原正伸・上山浩幸（ディータス）  OME2025-48 |
|
| 抄録 | （和） | SiOx薄膜は光学的・機械的特性が優れており、保護的な役割をになう薄膜材料として非常に有用である。しかし、膜中にはSi-OH基が多量に存在してしまうことや有機シリコン化合物を原料にした場合には、炭素成分が残留する問題が生じる。 本研究は、ICP-RFプラズマCVDによるSiOxの作製を目的とし、Si基板およびCu基板に成膜を行った。得られた膜についてラマン分光分析装置およびフーリエ変換赤外分光分析装置を用いて評価を行った。その結果、ラマンスペクトルより、いずれの基板においてもSiOxに起因するピークが認められた。また、FT-IRスペクトルよりSi-O-Si結合に起因するピークが認められた。 |
| （英） | SiOx thin films exhibit excellent optical and mechanical properties, Preparation them highly useful as protective coating materials. However, a significant amount of Si–OH groups tends in the film, in the case of organosilicon compounds are used as precursors, residual carbon contamination can become an issue. In this study, SiOx films were deposited on Si and Cu substrates using ICP-RF plasma CVD. Films were characterized using Raman spectroscopy and Fourier-transform infrared (FT-IR) spectroscopy. Raman spectra confirmed the presence of SiOx-related peaks on both types of substrates. In addition, the FT-IR spectra revealed absorption peaks attributable to Si–O–Si bonding. |
|
| キーワード | （和） | ICP-RFプラズマ / CVD / SiOx / / / / / |
| （英） | ICP-RF plasma / CVD / SiOx / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 309, OME2025-48, pp. 33-36, 2025年12月. | |
| 資料番号 | OME2025-48 | |
| 発行日 | 2025-12-19 (OME) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2025-48 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2025-12-26 - 2025-12-27 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | OKINAWAKEN SEINENKAIKAN |
| テーマ（和） | バイオテクノロジー、表面界面、計測技術、エレクトロニクス、その他 |
| テーマ（英） | biotechnology, surface and interfacial phenomena, measurement technology, electronics, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2025-12-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ICP-RFプラズマCVDによるSiOx膜の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of SiOx Using ICP-RF Plasma CVD |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ICP-RFプラズマ / ICP-RF plasma |
| キーワード(2)（和/英） | CVD / CVD |
| キーワード(3)（和/英） | SiOx / SiOx |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 髙橋 佑太 / Yuta Takahashi / タカハシ ユウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 千葉工業大学 (略称： 千葉工大) Chiba Institute of Technology (略称： CIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂本 幸弘 / Yukihiro Sakamoto / サカモト ユキヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 千葉工業大学 (略称： 千葉工大) Chiba Institute of Technology (略称： CIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蓬原 正伸 / Masanobu Futhuhara / フツハラ マサノブ |
| 第3著者 所属（和/英） | ディータス (略称： ディータス) DTUS (略称： DTUS) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 浩幸 / Hiroyuki Ueyama / ウエヤマ ヒロユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | ディータス (略称： ディータス) DTUS (略称： DTUS) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2025-12-27 10:30:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2025-48 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.309 |
| ページ範囲 | pp.33-36 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2025-12-19 (OME) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]