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| 講演名 | 2026-01-22 14:10 パラメータ設計手法を利用したAlGaN成長条件の最適化 ○吉岡尚輝・畠中 奨・山口晴央・小島善樹（三菱電機）  ED2025-65 MW2025-176 |
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| 抄録 | （和） | 窒化ガリウム（GaN）はシリコン（Si）やヒ化ガリウム（GaAs）に比べ、耐圧や飽和電子速度が大きく、高出力・高速動作が求められる電子デバイスへの応用が進んでいる。GaN上にAlGaNをヘテロ成長させると、分極不連続により界面に高密度の二次元電子ガス（Two Dimensional Electron Gas : 2DEG）が発生し、GaN-HEMTの特性はこの2DEG密度に依存する。2DEG密度はAlGaN層のAl組成や層厚に左右されるため、これらのばらつきが特性変動や歩留まり低下の原因となる。そこで本研究では、成長温度や成長圧力、供給ガス流量など複数の成長条件を効率的に最適化するため、パラメータ設計手法を用いて、AlGaN層のAl組成に対してロバストな成長条件を探索した。8つの制御因子と7つのノイズ因子を選定し、直交表により実験計画を策定した。コスト低減および再現性確保のため、シミュレーション計算技術を用いて実験を実行し、Al組成を評価した。要因効果解析の結果、キャリアガス種の変更（H2からN2）が最も大きなSN比向上をもたらし、次いでキャリアガス流量の増加が効果的であることが示された。推定した最適条件に基づく確認実験では、標準条件比で約26 dbのSN比向上を確認し、パラメータ設計手法による最適化の有効性を実証した。本手法はAl組成以外にも層厚（成長レート）や不純物濃度の最適化へも適用可能である。 |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | AlGaN / 成長条件 / 最適化 / パラメータ設計 / / / / |
| （英） | AlGaN / Growth Condition / Optimization / Parameter Design / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 326, ED2025-65, pp. 5-7, 2026年1月. | |
| 資料番号 | ED2025-65 | |
| 発行日 | 2026-01-15 (ED, MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2025-65 MW2025-176 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2026-01-22 - 2026-01-23 |
| 開催地（和） | 藤沢商工会議所（303会議室） |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2026-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | パラメータ設計手法を利用したAlGaN成長条件の最適化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optimization of AlGaN growth conditions using the parameter design method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 成長条件 / Growth Condition |
| キーワード(3)（和/英） | 最適化 / Optimization |
| キーワード(4)（和/英） | パラメータ設計 / Parameter Design |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉岡 尚輝 / Naoki Yoshioka / ヨシオカ ナオキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畠中 奨 / Susumu Hatakenaka / ハタケナカ ススム |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 晴央 / Harunaka Yamaguchi / ヤマグチ ハルナカ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小島 善樹 / Yoshiki Kojima / コジマ ヨシキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-01-22 14:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2025-65, MW2025-176 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.326(ED), no.327(MW) |
| ページ範囲 | pp.5-7 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2026-01-15 (ED, MW) |
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