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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-01-28 14:05 ［招待講演］将来の高密度および低消費電力3D DRAMのための高積層可能な酸化物半導体チャネルトランジスタ技術 ○増田貴史・越智孝光・杉崎 剛・秋田貴誉・木村史哉・佐藤希一・氏家 勇・望月想太・岩山昌由・坂田敦子・宮野信治・江城一樹・上田知正・斉藤信美・池田圭司・岡嶋 睦（キオクシア）  SDM2025-67 |
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| 抄録 | （和） | 我々は酸化物半導体InGaZnOチャネルトランジスタを搭載した3D DRAM(3D OCTRAM)を提案した．作製したリプレースメント型InGaZnOチャネルトランジスタにおいて極低オフリーク電流($<10^{-18} mathrm{, A/cell}$)を実証し，またセルトランジスタを8層一括加工で形成しその動作に成功した．これにより，3D OCTRAMが高密度・低消費電力3D DRAMとして有望であることを示した． |
| （英） | We have proposed a 3D Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM(3D OCTRAM), which uses a replacement-type InGaZnO channel transistor. The fabricated transistor demonstrates extremely low off state leakage current ($<10^{-18} mathrm{, A/cell}$). An 8-layer stacked cell transistor was successfully fabricated, confirming excellent transfer characteristics across all layers. We conclude that 3D OCTRAM is a promising candidate for future high-density and low-power 3D DRAM. | |
| キーワード | （和） | InGaZnO / 酸化物半導体 / OCTRAM / DRAM / / / / |
| （英） | InGaZnO / Oxide Semiconductor / OCTRAM / DRAM / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 347, SDM2025-67, pp. 7-8, 2026年1月. | |
| 資料番号 | SDM2025-67 | |
| 発行日 | 2026-01-21 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2025-67 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2026-01-28 - 2026-01-28 |
| 開催地（和） | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス |
| 開催地（英） | KIT Toranomon Graduate School |
| テーマ（和） | 先端デバイス・ プロセス技術（IEDM特集） |
| テーマ（英） | Advanced semiconductor devices and processes (Special feature on IEDM) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2026-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 将来の高密度および低消費電力3D DRAMのための高積層可能な酸化物半導体チャネルトランジスタ技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Highly Stackable Oxide-semiconductor Channel Transistor Technology for Future High-density and Low-power 3D DRAM |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaZnO / InGaZnO |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化物半導体 / Oxide Semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | OCTRAM / OCTRAM |
| キーワード(4)（和/英） | DRAM / DRAM |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 増田 貴史 / Takafumi Masuda / マスダ タカフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 越智 孝光 / Takamitsu Ochi / オチ タカミツ |
| 第2著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉崎 剛 / Tsuyoshi Sugisaki / スギサキ ツヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 秋田 貴誉 / Takanori Akita / アキタ タカノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 史哉 / Fumiya Kimura / キムラ フミヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 希一 / Kiichi Sato / サトウ キイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 氏家 勇 / Isamu Ujiie / ウジイエ イサム |
| 第7著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 望月 想太 / Sota Mochizuki / モチズキ ソウタ |
| 第8著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩山 昌由 / Masayoshi Iwayama / イワヤマ マサヨシ |
| 第9著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂田 敦子 / Atsuko Sakata / サカタ アツコ |
| 第10著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮野 信治 / Shinji Miyano / ミヤノ シンジ |
| 第11著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江城 一樹 / Kazuki Eshiro / エシロ カズキ |
| 第12著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 知正 / Tomomasa Ueda / ウエダ トモマサ |
| 第13著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | 斉藤 信美 / Nobuyoshi Saito / サイトウ ノブヨシ |
| 第14著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 圭司 / Keiji Ikeda / イケダ ケイジ |
| 第15著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡嶋 睦 / Mutsumi Okajima / オカジマ ムツミ |
| 第16著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia (略称： Kioxia) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-01-28 14:05:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2025-67 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.347 |
| ページ範囲 | pp.7-8 |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | 2026-01-21 (SDM) |
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