| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2026-01-28 14:35
［招待講演］Si CMOS上にモノリシック積層させた結晶性酸化インジウムを用いた読出時間5nsを実現する64kbit 2T0C メモリ
○松嵜隆徳・古谷一馬・伊藤宇則・海老原鯛壱・井上広樹・廣瀬丈也・片桐治樹・稲垣ちひろ・駒形大樹・安藤善範・倉田 求・村川 努・井坂史人・恵木勇司・大貫達也・八窪裕人（半導体エネルギー研）・名倉 徹（福岡大）・山﨑舜平（半導体エネルギー研）  SDM2025-68 |
| 抄録 |
（和） |
Crystal Indium Oxide FETは、極めて低いオフリーク電流と高いオン電流を示すため、低消費電力と高速動作のデバイスに好適である。Crystal Indium Oxide FETは、Back End of Lineプロセスに集積化できるため、記憶装置として有望である。我々は、Si CMOS上にモノリシック積層可能な2T0Cメモリを提案する。読み出しワード線の容量カップリングによる電圧降下分をキャンセルさせ、2T0C メモリの読み出し時間を短縮する。Crystal Indium Oxide FETを用いた64kbit 2T0Cメモリは、5nsの読み出し、5nsの書き込み、3600秒より長い保持特性を示し、高速アクセスと長期保持を実現した。 |
| （英） |
A crystal indium oxide FET has an extremely low off leakage current and a high on-state current, and is thus suitable for a low-power and high-speed device. The crystal indium oxide FET is fabricated through the back end of line process and accordingly shows promise as a memory device. We propose a 2T0C memory monolithically stacked on Si CMOS. The read time of the 2T0C memory is shortened by canceling a voltage drop due to the capacitance coupling of a read word line. The 64-kbit 2T0C memory including the crystal indium oxide FET exhibits a read time of 5 ns, a write time of 5 ns, and a retention time exceeding 3,600 s, achieving high-speed access and long-term retention. |
| キーワード |
（和） |
酸化物半導体 / メモリ / / / / / / |
| （英） |
oxide semiconductor / memory / / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 125, no. 347, SDM2025-68, pp. 9-12, 2026年1月. |
| 資料番号 |
SDM2025-68 |
| 発行日 |
2026-01-21 (SDM) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に
ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
SDM2025-68 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
SDM |
| 開催期間 |
2026-01-28 - 2026-01-28 |
| 開催地（和） |
金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス |
| 開催地（英） |
KIT Toranomon Graduate School |
| テーマ（和） |
先端デバイス・ プロセス技術（IEDM特集） |
| テーマ（英） |
Advanced semiconductor devices and processes (Special feature on IEDM) |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2026-01-SDM |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
Si CMOS上にモノリシック積層させた結晶性酸化インジウムを用いた読出時間5nsを実現する64kbit 2T0C メモリ |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
Crystal Indium Oxide for 64-kbit 2T0C Memory with 5-ns Read Time, Monolithically Stacked on Si CMOS |
| サブタイトル（英） |
|
| キーワード(1)（和/英） |
酸化物半導体 / oxide semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） |
メモリ / memory |
| キーワード(3)（和/英） |
/ |
| キーワード(4)（和/英） |
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| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
松嵜 隆徳 / Takanori Matsuzaki / マツザキ タカノリ |
| 第1著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： Semiconductor Energy Laboratory) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
古谷 一馬 / Kazuma Furutani / |
| 第2著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： Semiconductor Energy Laboratory) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
伊藤 宇則 / Takanori Ito / |
| 第3著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： Semiconductor Energy Laboratory) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
海老原 鯛壱 / Taichi Ebihara / |
| 第4著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： Semiconductor Energy Laboratory) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
井上 広樹 / Hiroki Inoue / |
| 第5著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： Semiconductor Energy Laboratory) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
廣瀬 丈也 / Takeya Hirose / |
| 第6著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： Semiconductor Energy Laboratory) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
片桐 治樹 / Haruki Katagiri / |
| 第7著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： Semiconductor Energy Laboratory) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
稲垣 ちひろ / Chihiro Inagaki / |
| 第8著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： Semiconductor Energy Laboratory) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） |
駒形 大樹 / Hiroki Komagata / |
| 第9著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： Semiconductor Energy Laboratory) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） |
安藤 善範 / Yoshinori Ando / |
| 第10著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： Semiconductor Energy Laboratory) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） |
倉田 求 / Motomu Kurata / |
| 第11著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： Semiconductor Energy Laboratory) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） |
村川 努 / Tsutomu Murakawa / |
| 第12著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： Semiconductor Energy Laboratory) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） |
井坂 史人 / Fumito Isaka / |
| 第13著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： Semiconductor Energy Laboratory) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） |
恵木 勇司 / Yuji Egi / |
| 第14著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： Semiconductor Energy Laboratory) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） |
大貫 達也 / Tatsuya Onuki / |
| 第15著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： Semiconductor Energy Laboratory) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） |
八窪 裕人 / Yuto Yakubo / |
| 第16著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： Semiconductor Energy Laboratory) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） |
名倉 徹 / Toru Nakura / |
| 第17著者 所属（和/英） |
福岡大学 (略称： 福岡大)
Fukuoka University (略称： Fukuoka University) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） |
山﨑 舜平 / Shunpei Yamazaki / |
| 第18著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： Semiconductor Energy Laboratory) |
| 第19著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第19著者 所属（和/英） |
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| 第20著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第20著者 所属（和/英） |
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| 第21著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第21著者 所属（和/英） |
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| 第22著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第22著者 所属（和/英） |
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| 第23著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第24著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第24著者 所属（和/英） |
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| 第25著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第25著者 所属（和/英） |
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| 第26著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第26著者 所属（和/英） |
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| 第27著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第27著者 所属（和/英） |
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| 第28著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第29著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第30著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第31著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第32著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第33著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第33著者 所属（和/英） |
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| 第34著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第34著者 所属（和/英） |
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| 第35著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 所属（和/英） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2026-01-28 14:35:00 |
| 発表時間 |
30分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
SDM2025-68 |
| 巻番号（vol） |
vol.125 |
| 号番号（no） |
no.347 |
| ページ範囲 |
pp.9-12 |
| ページ数 |
4 |
| 発行日 |
2026-01-21 (SDM) |