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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-01-28 15:25 ［招待講演］高性能結晶InGaOxナノシート酸化物半導体トランジスタの特性ばらつき ○Xingyu Huang・坂井洸太・Anlan Chen（東大）・髙橋崇典（奈良先端大）・上沼睦典（産総研）・浦岡行治（奈良先端大）・更屋拓哉・平本俊郎・小林正治（東大）  SDM2025-69 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では、ゲート長 Lg=60nm の多結晶 InGaOx（poly-IGO）FET アレイを作製し、デバイス特性のばらつきを体系的に評価した。poly-IGO FET は、オン電流およびトランスコンダクタンスにおいてアモルファス InGaOx（a-IGO）FET を上回り、Si FET と競合可能な性能を示した。一方で、しきい値電圧およびサブスレッショルドスイングなどの静電特性は、a-IGO FET と比較して大きなばらつきを示し、これは有限な結晶粒径および粒界の影響に起因すると考えられる。本研究は、量産を見据えた高性能結晶型酸化物半導体ナノシート FET の研究開発に向けた基盤を提供する。 |
| （英） | We fabricated polycrystalline InGaOx (poly-IGO) FET array with Lg=60nm and systematically investigated characteristics variability. While poly-IGO FETs outperform amorphous IGO (a-IGO) FETs and compete with Si FETs in terms of on-current and transconductance, electrostatics (Vth and subthreshold swing) are prone to high variability compared to a-IGO FETs, which is attributed to the finite grain size and grain boundaries. This work provides the foundation for R&D of high performance crystalline OS NSFETs for manufacturing. | |
| キーワード | （和） | 特性ばらつき / 原子層堆積 / 酸化物半導体 / / / / / |
| （英） | Statistical variability / atomic layer deposition / oxide semiconductor / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 347, SDM2025-69, pp. 13-16, 2026年1月. | |
| 資料番号 | SDM2025-69 | |
| 発行日 | 2026-01-21 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2025-69 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2026-01-28 - 2026-01-28 |
| 開催地（和） | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス |
| 開催地（英） | KIT Toranomon Graduate School |
| テーマ（和） | 先端デバイス・ プロセス技術（IEDM特集） |
| テーマ（英） | Advanced semiconductor devices and processes (Special feature on IEDM) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2026-01-SDM |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | 高性能結晶InGaOxナノシート酸化物半導体トランジスタの特性ばらつき |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Statistical Variability of High-Performance Crystalline InGaOx Nanosheet Oxide Semiconductor FETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 特性ばらつき / Statistical variability |
| キーワード(2)（和/英） | 原子層堆積 / atomic layer deposition |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化物半導体 / oxide semiconductor |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Xingyu Huang / Xingyu Huang / コ セイウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂井 洸太 / Kota Sakai / サカイ コウタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Anlan Chen / Anlan Chen / アンラン チェン |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 髙橋 崇典 / Takanori Takahashi / タカハシ タカノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上沼 睦典 / Mutsunori Uenuma / ウエヌマ ムツノリ |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル |
| 第6著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 更屋 拓哉 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 正治 / Masaharu Kobayashi / コバヤシ マサハル |
| 第9著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-01-28 15:25:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2025-69 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.347 |
| ページ範囲 | pp.13-16 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2026-01-21 (SDM) |
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