| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-01-28 16:25 ［招待講演］SOI FinFETを用いた高変換効率と低ノイズを実現した2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサ ○高柳良平（ソニーセミコンダクタソリューションズ）  SDM2025-71 |
|
| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 347, SDM2025-71, pp. 21-24, 2026年1月. | |
| 資料番号 | SDM2025-71 | |
| 発行日 | 2026-01-21 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2025-71 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2026-01-28 - 2026-01-28 |
| 開催地（和） | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス |
| 開催地（英） | KIT Toranomon Graduate School |
| テーマ（和） | 先端デバイス・ プロセス技術（IEDM特集） |
| テーマ（英） | Advanced semiconductor devices and processes (Special feature on IEDM) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2026-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SOI FinFETを用いた高変換効率と低ノイズを実現した2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Silicon-on-Insulator Pixel FinFET Technology for a High Conversion Gain and Low Dark Noise 2-Layer Transistor Pixel Stacked CIS |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高柳 良平 / Ryohei Takayanagi / タカヤナギ リョウヘイ |
| 第1著者 所属（和/英） | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 (略称： ソニーセミコンダクタソリューションズ) Sony Semiconductor Solutions Corporation (略称： Sony Semiconductor Solutions) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-01-28 16:25:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2025-71 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.347 |
| ページ範囲 | pp.21-24 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2026-01-21 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]