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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-01-28 10:00 ［招待講演］60-nmゲートInP-HEMTのIC配線工程におけるデバイス特性劣化機構の考察 ○佐々木太郎・杉山弘樹・吉屋佑樹・星 拓也・宮本恭幸・濱田裕史・アブド イブラヒム・中島史人（NTT）  PN2025-33 EMT2025-86 MWPTHz2025-87 |
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| 抄録 | （和） | 本講演では、NTT の60 nm ゲートInP-HEMT を用いた300 GHz 帯無線通信向けIC 技術および、IC プロセス技術について紹介する。特にIC プロセスに関する最新の知見として、配線工程におけるトランジスタ特性の劣化現象とその抑制手法について述べる。IC 作製にはトランジスタ形成後の配線工程が必須であり、所望の回路特性を得るには、250°C のプロセスを含む一連の工程においてトランジスタの特性劣化を最小限に抑えなければならない。断面TEM 像から、リセスエッチング時のエッチングストッパ層ダメージが特性劣化の起点であることが強く示唆された。またリセスエッチング時間の短縮（或いはリセス長の短縮）が、デバイス特性の維持に効果的であることが分かった。 |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | InP-HEMT / MMIC / 300 GHz帯 / 配線工程 / リセスエッチング / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 340, MWPTHz2025-87, pp. 48-51, 2026年1月. | |
| 資料番号 | MWPTHz2025-87 | |
| 発行日 | 2026-01-20 (PN, EMT, MWPTHz) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | PN2025-33 EMT2025-86 MWPTHz2025-87 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MWPTHz PN EMT IEE-EMT |
| 開催期間 | 2026-01-27 - 2026-01-28 |
| 開催地（和） | 大阪公立大学I-siteなんば |
| 開催地（英） | I-site Namba, Osaka Metropolitan University |
| テーマ（和） | フォトニックNW・デバイス、電磁界理論一般、光集積回路、電子回路、マイクロ波フォトニクス、テラヘルツ、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MWPTHz |
| 会議コード | 2026-01-MWPTHz-PN-EMT-EMT |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 60-nmゲートInP-HEMTのIC配線工程におけるデバイス特性劣化機構の考察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impact of BEOL processing on device performance of 60-nm-gate InP HEMT |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP-HEMT / |
| キーワード(2)（和/英） | MMIC / |
| キーワード(3)（和/英） | 300 GHz帯 / |
| キーワード(4)（和/英） | 配線工程 / |
| キーワード(5)（和/英） | リセスエッチング / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 太郎 / Taro Sasaki / ササキ タロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | NTT株式会社 先端集積デバイス研究所 (略称： NTT) Device Technology Labs., NTT, Inc. Labs (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉山 弘樹 / Hiroki Sugiyama / スギヤマ ヒロキ |
| 第2著者 所属（和/英） | NTT株式会社 先端集積デバイス研究所 (略称： NTT) Device Technology Labs., NTT, Inc. Labs (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉屋 佑樹 / Yuki Yoshiya / ヨシヤ ユウキ |
| 第3著者 所属（和/英） | NTT株式会社 先端集積デバイス研究所 (略称： NTT) Device Technology Labs., NTT, Inc. Labs (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 星 拓也 / Takuya Hoshi / ホシ タクヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | NTT株式会社 先端集積デバイス研究所 (略称： NTT) Device Technology Labs., NTT, Inc. Labs (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto / ミヤモト ヤスユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | NTT株式会社 先端集積デバイス研究所 (略称： NTT) Device Technology Labs., NTT, Inc. Labs (略称： NTT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 濱田 裕史 / Hiroshi Hamada / ハマダ ヒロシ |
| 第6著者 所属（和/英） | NTT株式会社 先端集積デバイス研究所 (略称： NTT) Device Technology Labs., NTT, Inc. Labs (略称： NTT) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | アブド イブラヒム / Ibrahim Abdo / アブド イブラヒム |
| 第7著者 所属（和/英） | NTT株式会社 先端集積デバイス研究所 (略称： NTT) Device Technology Labs., NTT, Inc. Labs (略称： NTT) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 史人 / Fumito Nakajima / ナカジマ フミト |
| 第8著者 所属（和/英） | NTT株式会社 先端集積デバイス研究所 (略称： NTT) Device Technology Labs., NTT, Inc. Labs (略称： NTT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-01-28 10:00:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | MWPTHz |
| 資料番号 | PN2025-33, EMT2025-86, MWPTHz2025-87 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.338(PN), no.339(EMT), no.340(MWPTHz) |
| ページ範囲 | pp.48-51 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2026-01-20 (PN, EMT, MWPTHz) |
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