| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2026-03-05 09:30
過飽和入力条件におけるB級およびJ級増幅器の動作比較解析 ○越 圭佑・田中愼一(芝浦工大) MW2025-196 |
| 抄録 |
(和) |
連続B/J級増幅器は,広帯域特性を有する次世代の高効率電力増幅器の候補として期待されている。近年,すべての連続モード増幅器の共通課題として,FETの寄生成分の影響により,利用可能な高調波負荷条件の範囲が制約されることが明らかになってきた。これは,連続B/J級増幅器において逆J級動作の利用が困難であることを意味するが,本稿では,これに加えて,同増幅器においてB級およびその近傍の動作についても設計上反映が難しい可能性があることを新たな課題として報告する。本研究では,B級動作およびJ級動作の特性が,過飽和入力条件において顕著な違いを示すことをシミュレーションにより明らかにし,さらに 10 W 出力の GaN HEMT を用いた実験により,そのシミュレーション結果の妥当性を検証する。 |
| (英) |
Continuous Class B/J power amplifiers are regarded as promising candidates for next-generation high-efficiency power amplifiers with wideband characteristics. In recent years, it has become clear that, as a common issue among all continuous-mode power amplifiers, the range of available harmonic load conditions is constrained by the effects of parasitic elements in FETs. This implies that the use of inverse Class-J operation is impractical in continuous Class B/J power amplifiers. In this paper, we report an additional challenge: even Class-B operation in continuous Class B/J power amplifiers may be difficult to incorporate into practical designs. In this study, we clarify through simulation that the characteristics of Class-B and Class-J operations exhibit pronounced differences under over-saturated input conditions. Furthermore, the validity of the simulation results is verified experimentally using a 10-W GaN HEMT. |
| キーワード |
(和) |
連続B/J級増幅器 / 電力効率 / 高調波処理 / B級 / J級 / GaN HEMT / / |
| (英) |
Continuous Class B/J amplifiers / power efficiency / harmonic tuning / Class-B / Class-J / GaN HEMT / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 125, no. 394, MW2025-196, pp. 1-6, 2026年3月. |
| 資料番号 |
MW2025-196 |
| 発行日 |
2026-02-26 (MW) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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