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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-03-13 17:25 ［招待講演］高密度プラズマ励起窒素活性種による高配向性Hexagonal Boron Nitride成長 ○牟田幸浩・杉浦正仁・松本貴士（東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ）  SDM2025-79 |
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| 抄録 | （和） | 我々はLogic A2世代の2D材料CFET向け六方晶窒化ホウ素（h-BN）の高品質・大粒径結晶成長技術を開発している．h-BN PE-CVDの窒素源としてN2を用いて堆積したh-BNは，NH3を用いて堆積したものと比較して，配向性と粒径が優れていることが分かっており，より高配向性を有したh-BN成長を目指すため，N2ソース由来のh-BN成長に優位な活性種の特定および第一原理計算を元に反応機構の考察を行った． |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | 2D material / CFET / h-BN / PE-CVD / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 125, no. 399, SDM2025-79, pp. 28-30, 2026年3月. | |
| 資料番号 | SDM2025-79 | |
| 発行日 | 2026-03-06 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2025-79 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2026-03-13 - 2026-03-13 |
| 開催地（和） | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2026-03-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高密度プラズマ励起窒素活性種による高配向性Hexagonal Boron Nitride成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Highly Oriented Hexagonal Boron Nitride Lateral Growth Using High-Density Plasma-Excited Nitrogen Active Species |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 2D material / |
| キーワード(2)（和/英） | CFET / |
| キーワード(3)（和/英） | h-BN / |
| キーワード(4)（和/英） | PE-CVD / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牟田 幸浩 / Yukihiro Muta / ムタ ユキヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ株式会社 (略称： 東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ) Tokyo Electron Technology Solutions Limited (略称： Tokyo Electron Technology Solutions) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉浦 正仁 / Masahito Sugiura / スギウラ マサヒト |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ株式会社 (略称： 東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ) Tokyo Electron Technology Solutions Limited (略称： Tokyo Electron Technology Solutions) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 貴士 / Takashi Matsumoto / マツモト タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ株式会社 (略称： 東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ) Tokyo Electron Technology Solutions Limited (略称： Tokyo Electron Technology Solutions) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-03-13 17:25:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2025-79 |
| 巻番号（vol） | vol.125 |
| 号番号（no） | no.399 |
| ページ範囲 | pp.28-30 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2026-03-06 (SDM) |
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