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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-06-29 13:30 ［招待講演］ゲート・オール・アラウンド(GAA)構造を持つ積層シリコンナノシートトランジスタ試作に対応した300mm共有パイロットライン ～ 半導体構造パラダイムシフトへの対応 ～ ○林 喜宏・入沢寿史（産総研）  SDM2026-16 |
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| 抄録 | （和） | 国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の助成事業により、国内半導体製造装置メーカー3社（東京エレクトロン株式会社、株式会社SCREENセミコンダクターソリューションズ、キヤノン株式会社）との共同研究を通じ、最先端ロジック半導体で使用されるゲート・オール・アラウンド（GAA）構造のトランジスタ試作に対応したプロセス技術を独自開発し、コンソーシアム参加企業・大学・研究機関が利用可能な300mm共用パイロットラインを構築した。先端半導体デバイスに係る基礎科学の深堀りや新構造・新機能材料の組み合わせによる次世代半導体技術の創出を通じて、国内半導体関連企業や大学の研究開発を加速させ、国際競争力の強化とともに、若手の半導体人材育成につなげる。 |
| （英） | Abstract Through a grant project by the New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO), we have developed our own process technologies for prototyping leading-edge logic semiconductors GAAFET with gate all-around structures, GAAFET, jointly with Tokyo Electron Co., Ltd., SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd., and Canon Corporation. Here, a 300mm shared pilot has been built to be used by consortium participating companies, universities, and research institutes. Through fundamental research on advanced semiconductors with new structures and functional materials, we encourage research and development to strengthen their international competitiveness as well as to develop young semiconductor human resources. | |
| キーワード | （和） | 最先端ロジック半導体 / GAAFET / 300mmパイロットライン / 半導体人材育成 / / / / |
| （英） | Cutting-edge logic semiconductors / GAAFET / 300mm pilot lines, / Human resource development / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 126, no. 89, SDM2026-16, pp. 1-4, 2026年6月. | |
| 資料番号 | SDM2026-16 | |
| 発行日 | 2026-06-22 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2026-16 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2026-06-29 - 2026-06-29 |
| 開催地（和） | TCU Shibuya PXU（東京都市大学渋谷パクス） |
| 開催地（英） | TCU Shibuya PXU |
| テーマ（和） | 半導体デバイスの進化を支える材料・ プロセス技術―MOS・メモリ・パワーデバイスの最前線―（応用物理学会シリコンテクノロジー分科会、東京都市大学渋谷パクスとの共催） |
| テーマ（英） | Material and Process Technologies Driving Semiconductor Device Evolution: Frontiers in MOS, Memory, and Power Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2026-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ゲート・オール・アラウンド(GAA)構造を持つ積層シリコンナノシートトランジスタ試作に対応した300mm共有パイロットライン |
| サブタイトル（和） | 半導体構造パラダイムシフトへの対応 |
| タイトル（英） | A shared 300mm-pilot line for prototyping of stacked Si-nanosheet transistors with gate-all-around (GAA) structure: Following a paradigm shift in semiconductor structures |
| サブタイトル（英） | Following a paradigm shift in semiconductor structures |
| キーワード(1)（和/英） | 最先端ロジック半導体 / Cutting-edge logic semiconductors |
| キーワード(2)（和/英） | GAAFET / GAAFET |
| キーワード(3)（和/英） | 300mmパイロットライン / 300mm pilot lines, |
| キーワード(4)（和/英） | 半導体人材育成 / Human resource development |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 喜宏 / Yoshihiro Hayashi / ハヤシ ヨシヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial, Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 入沢 寿史 / Toshifumi Irisawa / イリサワ トシフミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial, Science and Technology (略称： AIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-06-29 13:30:00 |
| 発表時間 | 35分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2026-16 |
| 巻番号（vol） | vol.126 |
| 号番号（no） | no.89 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2026-06-22 (SDM) |
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