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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-06-29 14:40 ［招待講演］Sn系IV族混晶ヘテロ構造の結晶成長および量子物性制御 ○中塚 理・柴山茂久・黒澤昌志・坂下満男（名大）  SDM2026-18 |
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| 抄録 | （和） | ゲルマニウムと錫の不定比混晶であるGe1−xSnxで代表されるSn系IV族混晶半導体は、直接遷移化をはじめとして、高いキャリア移動度や赤外領域応用に適した狭バンドギャップなど、特徴的な結晶・電子物性を有しており、その電子・光電・熱電応用が広く期待されている。一方、デバイス応用に向けたGe1−xSnx/Ge1-x-ySixSnyなどのヘテロ構造形成においては、結晶成長技術の構築に加えて、半導体および表面・界面における欠陥密度低減、キャリアタイプ・キャリア密度の制御など、各種電子物性の制御が必要不可欠である。本講演では、我々が研究開発を進めてきた薄膜結晶成長、界面物性制御、キャリア伝導制御などに関する最新の研究成果を紹介するとともに、本材料の課題、展望について議論する。 |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | Ⅳ族混晶半導体 / エピタキシャル成長 / 界面制御 / 結晶欠陥 / pn接合 / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 126, no. 89, SDM2026-18, pp. 9-12, 2026年6月. | |
| 資料番号 | SDM2026-18 | |
| 発行日 | 2026-06-22 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2026-18 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2026-06-29 - 2026-06-29 |
| 開催地（和） | TCU Shibuya PXU（東京都市大学渋谷パクス） |
| 開催地（英） | TCU Shibuya PXU |
| テーマ（和） | 半導体デバイスの進化を支える材料・ プロセス技術―MOS・メモリ・パワーデバイスの最前線―（応用物理学会シリコンテクノロジー分科会、東京都市大学渋谷パクスとの共催） |
| テーマ（英） | Material and Process Technologies Driving Semiconductor Device Evolution: Frontiers in MOS, Memory, and Power Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2026-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Sn系IV族混晶ヘテロ構造の結晶成長および量子物性制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial Growth and Quantum Engineering of Sn-related Group-IV Alloy Heterostructures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ⅳ族混晶半導体 / |
| キーワード(2)（和/英） | エピタキシャル成長 / |
| キーワード(3)（和/英） | 界面制御 / |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶欠陥 / |
| キーワード(5)（和/英） | pn接合 / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柴山 茂久 / Shigehisa Shibayama / シバヤマ シゲヒサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒澤 昌志 / Masashi Kurosawa / クロサワ マサシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-06-29 14:40:00 |
| 発表時間 | 35分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2026-18 |
| 巻番号（vol） | vol.126 |
| 号番号（no） | no.89 |
| ページ範囲 | pp.9-12 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2026-06-22 (SDM) |
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