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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-06-29 15:30 ［招待講演］導電性AFMによるWSe2の選択的欠陥イメージング ○下村侑生・澤井悠太（NIMS/都立大）・榊原涼太郎・渡邊賢司・谷口 尚（NIMS）・吉田昭二（筑波大）・宮田耕充（NIMS/都立大）  SDM2026-19 |
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| 抄録 | （和） | 導電性原子間力顕微鏡（cAFM）は、室温・大気下での遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）の簡易かつ迅速な欠陥評価に有効な手法として利用されている。一方、単層 TMD においては、導電性基板への直接トンネル電流が大きなバックグラウンドとなり、欠陥の検出感度を低下させる点が課題として挙げられる。本研究では、単層WSe2 と探針の間に極薄の六方晶窒化ホウ素（hBN）膜を挿入した hBN-assisted cAFM を用い、点欠陥の可視化および電子状態評価を行った。hBN 層数依存性より、3 層以上の hBN において、グラファイト基板への直接トンネル電流が抑制されることを確認した。一方、2 層 hBN では複数種類の点欠陥を高コントラストに可視化できることを明らかにした。さらに走査トンネル顕微鏡（STM）観察との比較から、cAFM 像において観察された高密度欠陥は Seの酸素置換欠陥であることが示唆された。 |
| （英） | ||
| キーワード | （和） | 遷移金属ダイカルコゲナイド / WSe2 / 点欠陥 / 導電性AFM / STM / 六方晶窒化ホウ素 / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 126, no. 89, SDM2026-19, pp. 13-15, 2026年6月. | |
| 資料番号 | SDM2026-19 | |
| 発行日 | 2026-06-22 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2026-19 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2026-06-29 - 2026-06-29 |
| 開催地（和） | TCU Shibuya PXU（東京都市大学渋谷パクス） |
| 開催地（英） | TCU Shibuya PXU |
| テーマ（和） | 半導体デバイスの進化を支える材料・ プロセス技術―MOS・メモリ・パワーデバイスの最前線―（応用物理学会シリコンテクノロジー分科会、東京都市大学渋谷パクスとの共催） |
| テーマ（英） | Material and Process Technologies Driving Semiconductor Device Evolution: Frontiers in MOS, Memory, and Power Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2026-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 導電性AFMによるWSe2の選択的欠陥イメージング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 遷移金属ダイカルコゲナイド / |
| キーワード(2)（和/英） | WSe2 / |
| キーワード(3)（和/英） | 点欠陥 / |
| キーワード(4)（和/英） | 導電性AFM / |
| キーワード(5)（和/英） | STM / |
| キーワード(6)（和/英） | 六方晶窒化ホウ素 / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 下村 侑生 / / シモムラ ユウキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構/東京都立大学 (略称： NIMS/都立大) (略称： ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 澤井 悠太 / / サワイ ユウタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構/東京都立大学 (略称： NIMS/都立大) (略称： ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 榊原 涼太郎 / / サカキバラ リョウタロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： NIMS) (略称： ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邊 賢司 / / ワタナベ ケンジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： NIMS) (略称： ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷口 尚 / / タニグチ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構 (略称： NIMS) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 昭二 / / ヨシダ ショウジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮田 耕充 / / ミヤタ ヤスミツ |
| 第7著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構/東京都立大学 (略称： NIMS/都立大) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-06-29 15:30:00 |
| 発表時間 | 35分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2026-19 |
| 巻番号（vol） | vol.126 |
| 号番号（no） | no.89 |
| ページ範囲 | pp.13-15 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2026-06-22 (SDM) |
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