| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2026-08-04 10:00
［招待講演］2nm以細技術ノードに向けたhigh-k/メタルゲートスタックのCETスケーリング：展望と課題
○森田行則・川那子高暢・神岡武文（産総研/LSTC）・三谷祐一郎（東京都市大/LSTC）・生田目俊秀・女屋 崇・深田直樹・ジェバスワン ウイパコーン・塚越一仁（物質・材料研究機構/LSTC）・星井拓也（東京科学大/LSTC）・トープラサートポン カシディット・田村敦史・喜多浩之（東大/LSTC）・岡田直也・間部謙三・水林 亘・太田裕之・松川 貴・右田真司（産総研/LSTC）  SDM2026-22 ICD2026-12 |
| 抄録 |
（和） |
2nmおよびそれ以細の技術ノードで採用される積層型ナノシートトランジスタは，架橋構造の極薄（5nm以下）のナノシートチャネルと，その周囲にhigh-k/メタルゲートスタックを形成するゲートオールアラウンド構造が用いられる．IRDSロードマップにおいてゲートスタックに要求される容量換算膜厚（CET）は，1 nm以下まで薄膜化されている．本講演では，1nm以下へのCETスケーリングに関する展望と課題について述べるとともに，我々のグループで実施している，high-k膜の比誘電率の向上と，界面層（IL）の極限までの薄膜化によるCETスケーリングの成果を紹介する． |
| （英） |
Scaling of the capacitance equivalent thickness (CET) of high-k/metal gate stacks remains a great challenge, even for advanced gate-all-around field-effect transistors at the sub-2-nm technology nodes. In the IRDS roadmap, the requirement value of CET for gate stacks is thinned down to 1 nm or less in the advanced node technology. In this study, prospects and challenges associated with further CET scaling are investigated through a combination of strategies involving the permittivity enhancement of high-k dielectrics and ultimate thinning of the interfacial layer (IL). |
| キーワード |
（和） |
High-k / メタルゲート / ゲートスタック / CET / HfO2 / ZrO2 / 界面層 / |
| （英） |
High-k / Metal gate / Gate stack / CET / HfO2 / ZrO2 / 界面層 / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 126, no. 137, SDM2026-22, pp. 1-6, 2026年8月. |
| 資料番号 |
SDM2026-22 |
| 発行日 |
2026-07-28 (SDM, ICD) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に
ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
SDM2026-22 ICD2026-12 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
ICD SDM ITE-IST |
| 開催期間 |
2026-08-04 - 2026-08-06 |
| 開催地（和） |
北海道大学理学部2号館2-507 |
| 開催地（英） |
Hokkaido Univ, School of Science 2nd Bldg. Room2-507 |
| テーマ（和） |
アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） |
Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
SDM |
| 会議コード |
2026-08-ICD-SDM-IST |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
2nm以細技術ノードに向けたhigh-k/メタルゲートスタックのCETスケーリング：展望と課題 |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
Further Scaling of the Capacitance Equivalent Thickness (CET) In High-k/Metal Gate Stacks Toward the 2nm Technology Node and Beyond: Prospects and Challenges |
| サブタイトル（英） |
|
| キーワード(1)（和/英） |
High-k / High-k |
| キーワード(2)（和/英） |
メタルゲート / Metal gate |
| キーワード(3)（和/英） |
ゲートスタック / Gate stack |
| キーワード(4)（和/英） |
CET / CET |
| キーワード(5)（和/英） |
HfO2 / HfO2 |
| キーワード(6)（和/英） |
ZrO2 / ZrO2 |
| キーワード(7)（和/英） |
界面層 / 界面層 |
| キーワード(8)（和/英） |
/ |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
森田 行則 / Yukinori Morita / モリタ ユキノリ |
| 第1著者 所属（和/英） |
産業技術総合研究所/LSTC (略称： 産総研/LSTC)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology/LSTC (略称： AIST/LSTC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
川那子 高暢 / Takamasa Kawanago / カワナゴ タカマサ |
| 第2著者 所属（和/英） |
産業技術総合研究所/LSTC (略称： 産総研/LSTC)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology/LSTC (略称： AIST/LSTC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
神岡 武文 / Takefumi Kamioka / タケフミ カミオカ |
| 第3著者 所属（和/英） |
産業技術総合研究所/LSTC (略称： 産総研/LSTC)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology/LSTC (略称： AIST/LSTC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
三谷 祐一郎 / Yuichiro Mitani / ミタニ ユウイチロウ |
| 第4著者 所属（和/英） |
東京都市大学/LSTC (略称： 東京都市大/LSTC)
Tokyo City University/LSTC (略称： Tokyo City Univ./LSTC) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
生田目 俊秀 / Toshihide Nabatame / ナバタメ トシヒデ |
| 第5著者 所属（和/英） |
物質・材料研究機構/LSTC (略称： 物質・材料研究機構/LSTC)
National Institute for Materials Science/LSTC (略称： NIMS/LSTC) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
女屋 崇 / Takashi Onaya / オナヤ タカシ |
| 第6著者 所属（和/英） |
物質・材料研究機構/LSTC (略称： 物質・材料研究機構/LSTC)
National Institute for Materials Science/LSTC (略称： NIMS/LSTC) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
深田 直樹 / Naoki Fukata / フカタ ナオキ |
| 第7著者 所属（和/英） |
物質・材料研究機構/LSTC (略称： 物質・材料研究機構/LSTC)
National Institute for Materials Science/LSTC (略称： NIMS/LSTC) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
ジェバスワン ウイパコーン / Wipakorn Jevasuwan / ジェバスワン ウイパコーン |
| 第8著者 所属（和/英） |
物質・材料研究機構/LSTC (略称： 物質・材料研究機構/LSTC)
National Institute for Materials Science/LSTC (略称： NIMS/LSTC) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） |
塚越 一仁 / Kazuhito Tsukagoshi / カズヒト ツカゴシ |
| 第9著者 所属（和/英） |
物質・材料研究機構/LSTC (略称： 物質・材料研究機構/LSTC)
National Institute for Materials Science/LSTC (略称： NIMS/LSTC) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） |
星井 拓也 / Takuya Hoshii / ホシイ タクヤ |
| 第10著者 所属（和/英） |
東京科学大学/LSTC (略称： 東京科学大/LSTC)
Science Tokyo/LSTC (略称： Science Tokyo/LSTC) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） |
トープラサートポン カシディット / Kasidit Toprasertpong / トープラサートポン カシディット |
| 第11著者 所属（和/英） |
東京大学/LSTC (略称： 東大/LSTC)
The University of Tokyo/LSTC (略称： The Univ. Tokyo/LSTC) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） |
田村 敦史 / Atsushi Tamura / アツシ タムラ |
| 第12著者 所属（和/英） |
東京大学/LSTC (略称： 東大/LSTC)
The University of Tokyo/LSTC (略称： The Univ. Tokyo/LSTC) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） |
喜多 浩之 / Koji Kita / コウジ キタ |
| 第13著者 所属（和/英） |
東京大学/LSTC (略称： 東大/LSTC)
The University of Tokyo/LSTC (略称： The Univ. Tokyo/LSTC) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） |
岡田 直也 / Naoya Okada / オカダ ナオヤ |
| 第14著者 所属（和/英） |
産業技術総合研究所/LSTC (略称： 産総研/LSTC)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology/LSTC (略称： AIST/LSTC) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） |
間部 謙三 / Kenzo Manabe / マナベ ケンゾウ |
| 第15著者 所属（和/英） |
産業技術総合研究所/LSTC (略称： 産総研/LSTC)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology/LSTC (略称： AIST/LSTC) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） |
水林 亘 / Wataru Mizubayashi / ミズバヤシ ワタル |
| 第16著者 所属（和/英） |
産業技術総合研究所/LSTC (略称： 産総研/LSTC)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology/LSTC (略称： AIST/LSTC) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） |
太田 裕之 / Hiroyuki Ota / オオタ ヒロユキ |
| 第17著者 所属（和/英） |
産業技術総合研究所/LSTC (略称： 産総研/LSTC)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology/LSTC (略称： AIST/LSTC) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） |
松川 貴 / Takashi Matsukawa / マツカワ タカシ |
| 第18著者 所属（和/英） |
産業技術総合研究所/LSTC (略称： 産総研/LSTC)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology/LSTC (略称： AIST/LSTC) |
| 第19著者 氏名（和/英/ヨミ） |
右田 真司 / Shinji Migita / ミギタ シンジ |
| 第19著者 所属（和/英） |
産業技術総合研究所/LSTC (略称： 産総研/LSTC)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology/LSTC (略称： AIST/LSTC) |
| 第20著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第20著者 所属（和/英） |
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| 第21著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第21著者 所属（和/英） |
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| 第22著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第22著者 所属（和/英） |
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| 第23著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第23著者 所属（和/英） |
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| 第24著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第24著者 所属（和/英） |
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| 第25著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第25著者 所属（和/英） |
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| 第26著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第26著者 所属（和/英） |
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| 第27著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第27著者 所属（和/英） |
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| 第28著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第28著者 所属（和/英） |
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| 第29著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第29著者 所属（和/英） |
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| 第30著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第30著者 所属（和/英） |
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| 第31著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第31著者 所属（和/英） |
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| 第32著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第32著者 所属（和/英） |
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| 第33著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第33著者 所属（和/英） |
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| 第34著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第34著者 所属（和/英） |
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| 第35著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第35著者 所属（和/英） |
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| 第36著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 所属（和/英） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2026-08-04 10:00:00 |
| 発表時間 |
45分 |
| 申込先研究会 |
SDM |
| 資料番号 |
SDM2026-22, ICD2026-12 |
| 巻番号（vol） |
vol.126 |
| 号番号（no） |
no.137(SDM), no.138(ICD) |
| ページ範囲 |
pp.1-6 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2026-07-28 (SDM, ICD) |