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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-08-05 10:40 ［招待講演］多段チャネルとソース/ドレイン向けTMDC形成技術 ○田邉真一（東京エレクトロン）  SDM2026-28 ICD2026-18 |
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| 抄録 | （和） | TMDC CFETの実現を目指してMoS2ならびにWSe2の多段チャネル形成技術とソース/ドレイン向け低抵抗化doped MoS2形成技術について報告する．本TMDC形成技術では，金属酸化物から構成される初期膜を雰囲気制御したアニール処理によってTMDCへ転換するため，初期膜の膜厚制御によりCFETの構成要素に応じて単層から数十層のTMDCを簡便に大面積で形成可能なことから，LSIプロセスに適合しやすい技術と考えられる． |
| （英） | We demonstrate LSI-compatible technique for synthesizing multi-stacked MoS₂ and WSe₂ films, along with low-resistive doped MoS₂ films by post annealing of metal-oxide initial film in controlled atmospheres. By adjusting the thickness of the initial film, we show that the number of TMDC layers can be tuned from monolayer to tens of layers according to target components for TMDC CFETs. | |
| キーワード | （和） | TMDC / MoS2 / WSe2 / CFET / GAA / FET / / |
| （英） | TMDC / MoS2 / WSe2 / CFET / GAA / FET / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 126, no. 137, SDM2026-28, pp. 28-29, 2026年8月. | |
| 資料番号 | SDM2026-28 | |
| 発行日 | 2026-07-28 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2026-28 ICD2026-18 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM ITE-IST |
| 開催期間 | 2026-08-04 - 2026-08-06 |
| 開催地（和） | 北海道大学理学部2号館2-507 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ, School of Science 2nd Bldg. Room2-507 |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2026-08-ICD-SDM-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 多段チャネルとソース/ドレイン向けTMDC形成技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Multi-stacked Channels and Doped Source/Drains Toward TMDC CFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | TMDC / TMDC |
| キーワード(2)（和/英） | MoS2 / MoS2 |
| キーワード(3)（和/英） | WSe2 / WSe2 |
| キーワード(4)（和/英） | CFET / CFET |
| キーワード(5)（和/英） | GAA / GAA |
| キーワード(6)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田邉 真一 / Shinichi Tanabe / タナベ シンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京エレクトロン株式会社 (略称： 東京エレクトロン) Tokyo Electron Limited (略称： Tokyo Electron Ltd.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-08-05 10:40:00 |
| 発表時間 | 45分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2026-28, ICD2026-18 |
| 巻番号（vol） | vol.126 |
| 号番号（no） | no.137(SDM), no.138(ICD) |
| ページ範囲 | pp.28-29 |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | 2026-07-28 (SDM, ICD) |
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