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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-08-06 10:00 ［招待講演］超高密度3次元フラッシュメモリに向けた多層セルアレイCBA（CMOS Directly Bonded to Array）技術 ○野田光彦・橋本 晋・水元隆太・渡邉 守・澤田元気・川崎貫太・園田真久・神谷栄二・諸岡 哲・中塚圭祐・前嶋 洋・小林茂樹・鈴木慎二（キオクシア）・迫坪行広・大澤康平・佐藤慎弥・柴崎禎二・八重樫政博・本間亮一（サンディスク）・田上政由・関根克行（キオクシア）  SDM2026-31 ICD2026-21 |
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| 抄録 | （和） | 本報告は2026 Symposium on VLSI Technology and Circuitsでの講演に基づき、超高密度3次元フラッシュメモリに向けたmulti-stacked cell array CMOS directly bonded to array（MSA-CBA）技術を紹介する。ワードライン積層数の増加に伴い、セル電流低下、ウエハ反り増大、およびブロックサイズ拡大が課題となる。MSA-CBAは、複数のセルアレイウエハをCMOSウエハ上にウエハ間Cu直接接合により積層することで、各セルアレイウエハ当たりのワードライン積層数を抑制し、これらの課題の同時解決を可能にする。本報告では、先端平坦化およびアライメント補正技術により実現された多層セルアレイウエハの高信頼接合と、多層セルアレイ構造におけるQuad-Level Cell（QLC）動作の世界初実証について述べる。これらの結果は、MSA-CBAが1000層超の次世代3次元フラッシュメモリに対して極めて有望なアーキテクチャであることを示す。 |
| （英） | This paper introduces multi-stacked cell array CMOS directly bonded to array (MSA-CBA) technology for ultra-high-density 3D flash memory, based on a presentation at the 2026 Symposium on VLSI Technology and Circuits [1]. To achieve higher density by stacking more word line (WL) layers, challenges such as reduced cell current, increased wafer warpage, and larger block (BLK) size must be resolved. MSA-CBA addresses these issues by stacking multiple cell array wafers on a CMOS wafer using wafer-to-wafer Cu direct bonding, thereby reducing the number of stacked word lines per wafer. This paper also presents highly reliable bonding enabled by advanced planarization and alignment correction technologies, as well as the world’s first demonstration of Quad-Level Cell (QLC) operation in a multi-stacked cell array structure. These results demonstrate that MSA-CBA is a promising architecture for 3D flash memory with over 1,000 stacked word lines. | |
| キーワード | （和） | 3次元フラッシュメモリ / MSA-CBA / ウエハ間Cu直接接合 / QLC / / / / |
| （英） | 3D Flash Memory / MSA-CBA / Wafer-to-Wafer Cu Direct Bonding / QLC / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 126, no. 137, SDM2026-31, pp. 40-40, 2026年8月. | |
| 資料番号 | SDM2026-31 | |
| 発行日 | 2026-07-28 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2026-31 ICD2026-21 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM ITE-IST |
| 開催期間 | 2026-08-04 - 2026-08-06 |
| 開催地（和） | 北海道大学理学部2号館2-507 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ, School of Science 2nd Bldg. Room2-507 |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2026-08-ICD-SDM-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 超高密度3次元フラッシュメモリに向けた多層セルアレイCBA（CMOS Directly Bonded to Array）技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Multi-Stacked Cell Array Architecture with Wafer-to-Wafer Cu Direct Bonding for Ultra-High-Density 3D Flash Memory beyond 1,000 Word Lines |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 3次元フラッシュメモリ / 3D Flash Memory |
| キーワード(2)（和/英） | MSA-CBA / MSA-CBA |
| キーワード(3)（和/英） | ウエハ間Cu直接接合 / Wafer-to-Wafer Cu Direct Bonding |
| キーワード(4)（和/英） | QLC / QLC |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野田 光彦 / Mitsuhiko Noda / ノダ ミツヒコ |
| 第1著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： Kioxia) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋本 晋 / Susumu Hashimoto / ハシモト ススム |
| 第2著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： Kioxia) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水元 隆太 / Ryuta Mizumoto / ミズモト リュウタ |
| 第3著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： Kioxia) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邉 守 / Mamoru Watanabe / ワタナベ マモル |
| 第4著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： Kioxia) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 澤田 元気 / Genki Sawada / サワダ ゲンキ |
| 第5著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： Kioxia) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川崎 貫太 / Kanta Kawasaki / カワサキ カンタ |
| 第6著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： Kioxia) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 園田 真久 / Masahisa Sonoda / ソノダ マサヒサ |
| 第7著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： Kioxia) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神谷 栄二 / Eiji Kamiya / カミヤ エイジ |
| 第8著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： Kioxia) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 諸岡 哲 / Tetsu Morooka / モロオカ テツ |
| 第9著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： Kioxia) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中塚 圭祐 / Keisuke Nakatsuka / ナカツカ ケイスケ |
| 第10著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： Kioxia) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前嶋 洋 / Hiroshi Maejima / マエジマ ヒロシ |
| 第11著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： Kioxia) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 茂樹 / Shigeki Kobayashi / コバヤシ シゲキ |
| 第12著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： Kioxia) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 慎二 / Shinji Suzuki / スズキ シンジ |
| 第13著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： Kioxia) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | 迫坪 行広 / Yukihiro Sakotsubo / サコツボ ユキヒロ |
| 第14著者 所属（和/英） | サンディスク合同会社 (略称： サンディスク) Sandisk Corporation (略称： Sandisk) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大澤 康平 / Kohei Osawa / オオサワ コウヘイ |
| 第15著者 所属（和/英） | サンディスク合同会社 (略称： サンディスク) Sandisk Corporation (略称： Sandisk) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 慎弥 / Shinya Sato / サトウ シンヤ |
| 第16著者 所属（和/英） | サンディスク合同会社 (略称： サンディスク) Sandisk Corporation (略称： Sandisk) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柴崎 禎二 / Teiji Shibasaki / シバサキ テイジ |
| 第17著者 所属（和/英） | サンディスク合同会社 (略称： サンディスク) Sandisk Corporation (略称： Sandisk) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | 八重樫 政博 / Masahiro Yaegashi / ヤエガシ マサヒロ |
| 第18著者 所属（和/英） | サンディスク合同会社 (略称： サンディスク) Sandisk Corporation (略称： Sandisk) |
| 第19著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本間 亮一 / Ryoichi Honma / ホンマ リョウイチ |
| 第19著者 所属（和/英） | サンディスク合同会社 (略称： サンディスク) Sandisk Corporation (略称： Sandisk) |
| 第20著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田上 政由 / Masayoshi Tagami / タガミ マサヨシ |
| 第20著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： Kioxia) |
| 第21著者 氏名（和/英/ヨミ） | 関根 克行 / Katsuyuki Sekine / セキネ カツユキ |
| 第21著者 所属（和/英） | キオクシア株式会社 (略称： キオクシア) Kioxia Corporation (略称： Kioxia) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-08-06 10:00:00 |
| 発表時間 | 45分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2026-31, ICD2026-21 |
| 巻番号（vol） | vol.126 |
| 号番号（no） | no.137(SDM), no.138(ICD) |
| ページ範囲 | p.40 |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2026-07-28 (SDM, ICD) |
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