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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-08-27 15:45 ZnOもしくはMgO犠牲層エッチングを用いたScAlNおよびKNNエピ薄膜共振子 ○鈴木菜々海・下山 航・柳谷隆彦（早大）  US2026-46 |
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| 抄録 | （和） | BAWフィルタの高性能化に向けて、高Qかつ高耐電力なエピタキシャル圧電薄膜の採用が望まれている。ScAlNや(K, Na) NbO3 (KNN)のエピタキシャル成長に用いられる単結晶基板はエッチングが困難であり、自立薄膜共振子やSMRへの応用には課題がある。本研究では、エッチング可能な犠牲層・犠牲基板を用いたScAlN分極反転2層SMRおよびKNN自立薄膜共振子を作製し、評価した。ScAlNについてはZnO犠牲層エッチングおよび転写プロセスにより分極反転2層SMRを作製し、kt2 = 19.5%と高い値が得られた。また、KNNではMgO基板上で4回対称のXRD極点図が得られ、エピタキシャル成長を確認した。KNN自立薄膜共振子のAs-grownにおけるkt2は11.3%であり、DCバイアス印加により14.5%まで上昇した。さらに、直流電界に対するkt2のヒステリシスを取得し、抗電界は87 kV/cmおよび-20 kV/cm付近（2Ec = 54 kV/cm）であることがわかった。 |
| （英） | The application of epitaxial piezoelectric thin films is expected to achieve high-performance BAW filters with high Q and high-power durability. However, the single-crystal substrates commonly used for the epitaxial growth of ScAlN and KNN are difficult to etch, limiting their application to free-standing resonators (FBAR) and SMR. In this study, ScAlN polarity-inverted double-layer SMR and KNN free-standing resonator were fabricated using etching of sacrificial layer and sacrificial substrate, respectively. For ScAlN, polarity-inverted double layer SMR was fabricated by ZnO sacrificial layer etching followed by a film transfer process, achieving a high electromechanical coupling coefficient (kt2) of 19.5%. For KNN, fourfold symmetry was observed in the XRD pole figure measured on MgO substrate, indicating epitaxial growth. The as-grown KNN free-standing resonator exhibited kt2 of 11.3%, which increased to 14.5% under DC bias. Furthermore, the hysteresis of kt2 during DC bias application was measured, and the coercive fields were measured to be approximately 87 kV/cm and -20 kV/cm (2Ec = 54 kV/cm). | |
| キーワード | （和） | ScAlN / KNN / 分極反転 / FBAR / エピタキシャル成長 / 抗電界 / / |
| （英） | ScAlN / KNN / polarization inversion / FBAR / epitaxial / coercive field / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 126, no. 156, US2026-46, pp. 25-30, 2026年8月. | |
| 資料番号 | US2026-46 | |
| 発行日 | 2026-08-20 (US) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | US2026-46 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | US |
| 開催期間 | 2026-08-27 - 2026-08-27 |
| 開催地（和） | 東京科学大学 大岡山キャンパス 西9号館 |
| 開催地（英） | Inst. of Science Tokyo (West Bldg.9, Ookayama Campus) |
| テーマ（和） | 水中音響, 超音波一般 （共催：海洋音響学会） |
| テーマ（英） | Underwater acoustics, Ultrasonics, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | US |
| 会議コード | 2026-08-US |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ZnOもしくはMgO犠牲層エッチングを用いたScAlNおよびKNNエピ薄膜共振子 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ScAlN and KNN Epitaxial Thin Film Resonators Using ZnO or MgO Sacrificial Layer Etching |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ScAlN / ScAlN |
| キーワード(2)（和/英） | KNN / KNN |
| キーワード(3)（和/英） | 分極反転 / polarization inversion |
| キーワード(4)（和/英） | FBAR / FBAR |
| キーワード(5)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial |
| キーワード(6)（和/英） | 抗電界 / coercive field |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 菜々海 / Nanami Suzuki / スズキ ナナミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 早稲田大学/各務記念材料技術研究所 (略称： 早大) Waseda University/ZAIKEN (略称： Waseda Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 下山 航 / Wataru Shimoyama / シモヤマ ワタル |
| 第2著者 所属（和/英） | 早稲田大学/各務記念材料技術研究所 (略称： 早大) Waseda University/ZAIKEN (略称： Waseda Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳谷 隆彦 / Takahiko Yanagitani / ヤナギタニ タカヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 早稲田大学/各務記念材料技術研究所 (略称： 早大) Waseda University/ZAIKEN (略称： Waseda Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-08-27 15:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | US |
| 資料番号 | US2026-46 |
| 巻番号（vol） | vol.126 |
| 号番号（no） | no.156 |
| ページ範囲 | pp.25-30 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2026-08-20 (US) |
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