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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-09-11 12:00 130 nm SiGe BiCMOSプロセスを用いたfmax超周波数動作プッシュプッシュ型注入同期増幅器 ○上松篤史・大立目優与・高野恭弥（東京理科大）  MW2026-76 |
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| 抄録 | （和） | 近年、テラヘルツ帯信号を用いた物性センサが注目されている。従来の光学系を用いた手法では高周波信号の生成・検出が可能である一方、装置サイズや実装性の制約により、小型センサシステムへの応用には課題がある。これに対し、集積回路による高周波信号の生成・利用は、小型化およびアレイ化に有効な手法である。しかし、テラヘルツ帯に近い周波数では、MOSFETの最大発振周波数（fmax）を上回る出力周波数が要求される場合があり、通常の線形増幅器では十分な利得を得ることが困難である。本研究では、この課題に対し、発振器の注入同期現象を再生型増幅機構として利用するプッシュプッシュ型注入同期増幅器を提案する。提案回路では、プッシュプッシュ発振器の第2高調波周波数に対応する入力信号を注入し、その入力信号に位相同期した第2高調波出力を得る。130 nm SiGe BiCMOSプロセスを用いた設計により、MOSFETのfmaxを超える出力周波数における位相同期動作の実現可能性を検討する。 |
| （英） | Terahertz (THz) material-sensing integrated circuits require compact signal-generation and phase-detection circuits. However, obtaining sufficient power gain with a conventional linear amplifier becomes difficult when the operating frequency exceeds the maximum oscillation frequency fmax of the MOSFET. This paper proposes a push-push injection-locked amplifier that exploits injection locking as a regenerative amplification mechanism. A signal near twice the free-running oscillation frequency is injected through the sources of a crosscoupled nMOS pair, and a phase-locked second-harmonic signal is extracted from the center tap of the tank inductor. Circuit simulations using a 130-nm SiGe BiCMOS nMOS model and ideal passive components evaluate the free-running oscillation, input/output matching, input-output power characteristic, and phase transfer. The results indicate the feasibility of phase-preserving signal regeneration above the MOSFET fmax, which is suitable for the phase-detection path of a THz material-sensing integrated circuit. |
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| キーワード | （和） | テラヘルツ集積回路 / 注入同期増幅器 / プッシュプッシュ発振器 / 第2高調波 / SiGe BiCMOS / / / |
| （英） | terahertz integrated circuits / injection-locked amplifier / push-push oscillator / second harmonic / SiGe BiCMOS / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 126, no. 173, MW2026-76, pp. 41-45, 2026年9月. | |
| 資料番号 | MW2026-76 | |
| 発行日 | 2026-09-03 (MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2026-76 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW AP |
| 開催期間 | 2026-09-09 - 2026-09-11 |
| 開催地（和） | 石川県立図書館 |
| 開催地（英） | Ishikawa Prefectural Library |
| テーマ（和） | ミリ波/マイクロ波, 電波伝搬, ⼀般 |
| テーマ（英） | Microwave, Millimeter wave, Radio propagation, Antennas and Propagation |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2026-09-MW-AP |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 130 nm SiGe BiCMOSプロセスを用いたfmax超周波数動作プッシュプッシュ型注入同期増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Push-Push Injection-Locked Amplifier Operating Above the MOSFET fmax in 130-nm SiGe BiCMOS Technology |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | テラヘルツ集積回路 / terahertz integrated circuits |
| キーワード(2)（和/英） | 注入同期増幅器 / injection-locked amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | プッシュプッシュ発振器 / push-push oscillator |
| キーワード(4)（和/英） | 第2高調波 / second harmonic |
| キーワード(5)（和/英） | SiGe BiCMOS / SiGe BiCMOS |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上松 篤史 / Atsushi Uematsu / ウエマツ アツシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大立目 優与 / Yuto Ootachime / オオタチメ ユウト |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高野 恭弥 / Kyoya Takano / タカノ キョウヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-09-11 12:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2026-76 |
| 巻番号（vol） | vol.126 |
| 号番号（no） | no.173 |
| ページ範囲 | pp.41-45 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2026-09-03 (MW) |
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