| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2026-10-09 13:00 ［招待講演］酸化物透明導電膜におけるサイズ効果 ～ 膜厚10nm以下でのキャリア輸送制御 ～ ○山本哲也（高知工科大）  ED2026-15 |
|
| 抄録 | （和） | 酸化インジウムや酸化亜鉛系多結晶薄膜において, 膜厚がキャリア平均自由行程以下の超薄膜の場合,表面キャリア散乱, 膜密度減少, 及び格子秩序劣化などに因る電気抵抗率の急増（サイズ効果）の抑制は急務である. 本研究では無アルカリガラス基板上酸化物薄膜初期成長時の結晶核促進を設計すべくイオンフラックスエネルギー等を高精度に制御することで, 前記負因子の低減を試みた. 本稿では成長プロセス条件が薄膜構造と電気特性に与える影響を明らかにすべく, サイズ効果を克服する高性能透明導電膜の作製指針について議論する． |
| （英） | In polycrystalline indium oxide and zinc oxide-based thin films, suppressing the rapid increase in electrical resistivity—a size effect occurring when film thickness falls below the carrier mean free path—is critical for ultrathin applications. This study aims to mitigate these negative factors by precisely controlling parameters such as ion flux energy to design crystal nucleation during the initial growth stage on alkali-free glass substrates. This presentation clarifies the impact of growth process conditions on film structures and electrical properties, and discusses guidelines for fabricating high-performance transparent conducting films that successfully overcome these detrimental size effects. | |
| キーワード | （和） | 酸化インジウム / 酸化亜鉛 / 透明導電性薄膜 / ハイパサーマル粒子 / 中性化 / / / |
| （英） | Indium Oxide / Zinc Oxide / Transparent Conductive Oxide Film / Hyperthermal Particle / Neutralization / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 126, no. 190, ED2026-15, pp. 1-4, 2026年10月. | |
| 資料番号 | ED2026-15 | |
| 発行日 | 2026-10-02 (ED) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2026-15 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2026-10-09 - 2026-10-09 |
| 開催地（和） | 高知工科大学（永国寺キャンパス） |
| 開催地（英） | Kochi University of Technology (Eikokuji Campus) |
| テーマ（和） | 薄膜材料デバイス，一般 |
| テーマ（英） | Thin film materials and devices, general |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2026-10-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 酸化物透明導電膜におけるサイズ効果 |
| サブタイトル（和） | 膜厚10nm以下でのキャリア輸送制御 |
| タイトル（英） | Unlocking the Nanoscale: Size Effects in Transparent Conducting Oxides |
| サブタイトル（英） | Controlling Carrier Transport Below the 10 nm Thickness Threshold |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化インジウム / Indium Oxide |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化亜鉛 / Zinc Oxide |
| キーワード(3)（和/英） | 透明導電性薄膜 / Transparent Conductive Oxide Film |
| キーワード(4)（和/英） | ハイパサーマル粒子 / Hyperthermal Particle |
| キーワード(5)（和/英） | 中性化 / Neutralization |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 哲也 / Tetsuya Yamamoto / ヤマモト テツヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 高知工科大学 (略称： 高知工科大) Kochi University of Technology (略称： KUT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2026-10-09 13:00:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2026-15 |
| 巻番号（vol） | vol.126 |
| 号番号（no） | no.190 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2026-10-02 (ED) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る] (日本語ページの行間係数: 1)