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| 講演名 | 2026-10-09 15:45 加熱イオン注入により作製したGa2O3 CAVETの電気的特性 ○森原 淳（阪公立大）・松尾大輔・金野 舜・臼井洸佑・竹村真哉（日新イオン機器）・Wang Zhenwei（NICT）・Ferreyra A. Romualdo（阪公立大）・吉永純也（日本酸素）・伊庭義騎・寺内悠真（東京農工大）・田中浩平（日新イオン機器）・熊谷義直（東京農工大）・東脇正高（阪公立大）  ED2026-20 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では、加熱イオン注入を用いてGa2O3 (010), (001) エピ基板上にそれぞれ電流アパーチャー縦型トランジスタ (CAVET) を作製し、そのデバイス特性評価を実施した。Ga2O3 (010) CAVETは、窒素 (N) の[010]方向への異方性拡散によるチャネル・アクセス層での意図しないキャリア補償や、CBL層中N濃度の低下により、高いオン抵抗 (Ron,sp) = 1.4 Ωcm2、低い耐圧 (Vbr) = 303 VといったGa2O3 (001) CAVETと比較してやや劣ったデバイス特性を示した。Ga2O3 (001) CAVETでは設計通りのキャリア分布および優れた電流ブロック層の特性が確認された。結果、Ron,sp = 72.6 mΩcm2やVbr = 756 Vといった良好なデバイス特性を示した。また、本研究で作製したGa2O3 (001) CAVETでは室温注入を用いて作製されたCAVETにおいて観測された、ソース電極端での早期破壊は確認されなかった。これは加熱イオン注入の利用による結晶ダメージ低減効果が寄与しているものと考えられる。 |
| （英） | In this study, current aperture vertical FETs (CAVETs) were fabricated on Ga2O3 (010) and (001) epi-wafers using hot implantation of Si and N. The Ga2O3 (010) CAVET exhibited inferior device characteristics to those of the (001) CAVET, including high specific on-resistance (Ron,sp) of 1.4 Ωcm2 and a low breakdown voltage (Vbr) of 303 V due to anisotropic diffusion of N atoms in the [010] direction. On the other hand, the Ga2O3 (001) CAVET demonstrated superior device performance with an Ron,sp of 72.6 mΩcm2 and a Vbr of 756 V. Furthermore, the premature breakdown at the edge of the source electrode, which was observed in a CAVET fabricated using room-temperature implantation, was not observed in Ga2O3 (001) CAVET fabricated with the hot implantation. This improvement is attributed to the reduction in crystal damage achieved by the hot implantation. | |
| キーワード | （和） | Ga2O3 / 縦型トランジスタ / 加熱イオン注入 / CAVET / ディープアクセプタ / 異方性拡散 / / |
| （英） | Ga2O3 / Vertical transistor / Hot implantation / CAVET / Deep acceptors / Anisotropic diffusion / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 126, no. 190, ED2026-20, pp. 14-17, 2026年10月. | |
| 資料番号 | ED2026-20 | |
| 発行日 | 2026-10-02 (ED) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2026-20 |
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