研究会 - 電子デバイス研究会 (ED)

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電子デバイス研究会 (ED) (検索条件: 2005年度)

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講演検索結果

登録講演（開催プログラムが公開されているもの） （日付・昇順）

研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 09:30	滋賀	立命館大学	凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化 ○武藤大祐・直井弘之・荒木　努・北川幸雄・黒内正仁・羅　ヒョンソク・名西やすし（立命館大）	[more]	ED2005-118 CPM2005-105 LQE2005-45 pp.1-4
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 09:50	滋賀	立命館大学	常圧MOVPE成長InNの電気的光学的特性における成長時のNH3/TMIモル比依存性 ○三輪浩士・永井泰彦・橋本明弘・山本あきお（福井大）	[more]	ED2005-119 CPM2005-106 LQE2005-46 pp.5-8
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 10:10	滋賀	立命館大学	ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長～無極性InNの検討～ ○熊谷裕也・露口招弘・寺木邦子・荒木　努・直井弘之・名西やすし（立命館大）	我々はECR-MBE法 (ECRプラズマ分子線エピタキシー法) を用いて、R面(10-12) サファイア基板に窒化処理を... [more]	ED2005-120 CPM2005-107 LQE2005-47 pp.9-12
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 10:30	滋賀	立命館大学	原子状水素照射によるInNの極性評価 ○早川祐矢・武藤大祐・直井弘之・鈴木　彰・荒木　努・名西やすし（立命館大）	[more]	ED2005-121 CPM2005-108 LQE2005-48 pp.13-16
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 11:00	滋賀	立命館大学	RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価 ○大橋達男・石沢峻介・Petter Holmström・菊池昭彦・岸野克巳（上智大）	[more]	ED2005-122 CPM2005-109 LQE2005-49 pp.17-21
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 11:20	滋賀	立命館大学	RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価 ○黒内正仁・高堂真也・直井弘之・荒木　努・名西やすし（立命館大）	[more]	ED2005-123 CPM2005-110 LQE2005-50 pp.23-28
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 11:40	滋賀	立命館大学	AlInN3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価 ○寺嶋　亘・崔　成伯・石谷善博・吉川明彦（千葉大）	[more]	ED2005-124 CPM2005-111 LQE2005-51 pp.29-34
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 12:00	滋賀	立命館大学	CP2Mgを用いたMOVPE成長InNのMgドーピング効果 ○永井泰彦・三輪浩士・丹羽弘和・橋本明弘・山本あきお（福井大）	[more]	ED2005-125 CPM2005-112 LQE2005-52 pp.35-38
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 13:30	滋賀	立命館大学	C帯170W出力GaN-HEMTの開発 ○高田賢治・桜井博幸・松下景一・増田和俊・高塚眞治・蔵口雅彦・鈴木拓馬・鈴木　隆・広瀬真由美・川崎久夫・高木一考・津田邦男（東芝）	AlGaN/GaN HEMTは次世代の高周波パワーデバイスとして期待され、最近ではL帯アプリケーション向けとして非常に優... [more]	ED2005-126 CPM2005-113 LQE2005-53 pp.39-42
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 13:50	滋賀	立命館大学	短ゲートＡｌＧａＮ／ＧａＮＨＥＭＴのＤＣ、ＲＦ特性と基板結晶性との相関 ○塩島謙次・牧村隆司・末光哲也・重川直輝・廣木正伸・横山春喜（NTT）	[more]	ED2005-127 CPM2005-114 LQE2005-54 pp.43-46
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 14:10	滋賀	立命館大学	高温・高出力動作 Pnp AlGaN/GaN HBTs ○熊倉一英・牧本俊樹（NTT）	[more]	ED2005-128 CPM2005-115 LQE2005-55 pp.47-50
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 14:30	滋賀	立命館大学	リセスゲートを用いたノーマリーオフAlGaN/GaN HEMT ○中田　健・川崎　健・八重樫誠司（ユーディナデバイス）	AlGaN/GaN HEMTは電子濃度・移動度が大きく絶縁破壊電界が高いために、低オン抵抗・高耐圧特性を実現するパワース... [more]	ED2005-129 CPM2005-116 LQE2005-56 pp.51-56
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 14:50	滋賀	立命館大学	GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaN ヘテロ接合トランジスタ ○中澤敏志・上田哲三・井上　薫・田中　毅（松下電器）・石川博康・江川孝志（名工大）	[more]	ED2005-130 CPM2005-117 LQE2005-57 pp.57-61
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 15:10	滋賀	立命館大学	Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価 ○片山義章・石川博康・江川孝志（名工大）	[more]	ED2005-131 CPM2005-118 LQE2005-58 pp.63-66
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 15:40	滋賀	立命館大学	AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程 ○小谷淳二・葛西誠也・長谷川英機・橋詰　保（北大）	[more]	ED2005-132 CPM2005-119 LQE2005-59 pp.67-70
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 16:00	滋賀	立命館大学	GaN バッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究 ○檜木啓宏（立命館大）・廣山雄一・土屋忠厳・山田朋幸・岩見正之・城川潤二郎（新機能素子研究開発協会）・荒木　努（立命館大）・鈴木　彰（新機能素子研究開発協会/立命館大）・名西やすし（立命館大）	[more]	ED2005-133 CPM2005-120 LQE2005-60 pp.71-74
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 16:20	滋賀	立命館大学	AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク ○山田朋幸・土屋忠厳・城川潤二郎・岩見正之（新機能素子研究開発協会）・荒木　努（立命館大）・鈴木　彰（新機能素子研究開発協会/立命館大）・名西やすし（立命館大）	[more]	ED2005-134 CPM2005-121 LQE2005-61 pp.75-78
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 16:40	滋賀	立命館大学	Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響 ○澤田孝幸・米田里志・高橋健輔（北海道工大）・金　聖祐・鈴木敏正（日本工大）	Ni/i-AlGaN/GaN HFETゲート構造の電気的特性について、表面酸化膜と熱処理の影響を調べた。酸化膜の存在は、... [more]	ED2005-135 CPM2005-122 LQE2005-62 pp.79-84
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 17:00	滋賀	立命館大学	n+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性 ○重川直輝・西村一巳・横山春喜（NTT）・宝川幸司（神奈川工科大）	[more]	ED2005-136 CPM2005-123 LQE2005-63 pp.85-88
LQE, ED, CPM (共催)	2005-10-13 17:20	滋賀	立命館大学	RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaNナノ細線ネットワークの形成 ○及川　武・佐藤威友・長谷川英機・橋詰　保（北大）	[more]	ED2005-137 CPM2005-124 LQE2005-64 pp.89-92

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