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レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
LQE
2005-12-09
10:00
東京
機械振興会館
1.2μm帯GaInAs/GaAs高密度面発光レーザアレイの波長制御
○
内山泰宏
・
武田一隆
・
宮本智之
・
小山二三夫
(
東工大
)
[more]
LQE2005-112
pp.1-4
LQE
2005-12-09
10:25
東京
機械振興会館
光インターコネクション用1.1μm帯InGaAsVCSEL
○
鈴木尚文
・
畠山 大
・
阿南隆由
・
深津公良
・
屋敷健一郎
・
辻 正芳
(
NEC
)
超高速計算機内のデータ転送速度増大のため、高速化、高密度化可能な光伝送の適用が検討されており、光源として消費電力、高密度...
[more]
LQE2005-113
pp.5-8
LQE
2005-12-09
10:50
東京
機械振興会館
Tunable Twin Guide DFB レーザの波長可変特性
○
早川明憲
・
高林和雅
・
田中信介
・
苫米地秀一
・
江川 満
・
森戸 健
(
富士通研
)
[more]
LQE2005-114
pp.9-12
LQE
2005-12-09
11:15
東京
機械振興会館
ラダー型フィルタとリング共振器を用いたデジタル型波長可変レーザ
○
松尾慎治
・
鄭 錫煥
・
瀬川 徹
・
岡本 浩
・
川口悦弘
・
近藤康洋
・
鈴木博之
・
吉國裕三
(
NTT
)
レーザキャビティにラダー型フィルタとリング共振器を含むデジタル型波長可変レーザについて報告する。本素子はリング共振器の周...
[more]
LQE2005-115
pp.13-16
LQE
2005-12-09
11:40
東京
機械振興会館
バーニア型DBRレーザを用いた波長可変光クロックパルス発生
○
西村哲也
・
後藤田光伸
・
西川智志
・
徳田安紀
(
三菱電機/光協会
)
バーニア型回折格子を有する4電極波長可変DBRレーザを開発し,波長可変幅30nm以上のCW発振動作を報告してきた.今回,...
[more]
LQE2005-116
pp.17-20
LQE
2005-12-09
13:20
東京
機械振興会館
短共振器DBR構造を用いた1.3μm帯InGaAlAs系レーザの低電流・高温10Gbit/s動作
○
篠田和典
・
北谷 健
・
青木雅博
(
日立
)・
向久保 優
・
内田憲治
・
魚見和久
(
日本オプネクスト
)
10Gbit/s伝送用1.3μm帯直接変調レーザの駆動電流低減を目的として、数十μm長の短い活性領域を持つ短共振器型In...
[more]
LQE2005-117
pp.21-24
LQE
2005-12-09
13:45
東京
機械振興会館
10Gbit/s 非冷却LDモジュールの給電回路の検討
○
岡田規男
・
安井伸之
・
有賀 博
・
白井 聡
・
大島 功
・
杉立厚志
・
八田竜夫
・
渡辺 斉
(
三菱電機
)
XFPを始め、XENPAK,X2などの光送受信器に搭載可能な低コスト10Gbit/s LDモジュールを開発した。並列容量...
[more]
LQE2005-118
pp.25-28
LQE
2005-12-09
14:10
東京
機械振興会館
シングルモードDFB量子カスケードレーザの分光分析への応用
○
枝村忠孝
・
秋草直大
・
杉山厚志
・
落合隆英
・
山西正道
・
菅 博文
(
浜松ホトニクス
)・
上原喜代治
(
慶大
)
[more]
LQE2005-119
pp.29-32
LQE
2005-12-09
14:35
東京
機械振興会館
2次元半導体レーザの発振特性
○
福嶋丈浩
(
岡山県立大/ATR
)・
原山卓久
(
ATR
)
近年の半導体プロセス技術の発展により,ディスク形,6角形,スタジアム形など,様々な形の2次元半導体レーザが製作され,その...
[more]
LQE2005-120
pp.33-36
LQE
2005-12-09
15:15
東京
機械振興会館
MEMS集積化フォトニック結晶導波路の作製と評価
○
岩本 敏
(
東大
)・
山田博仁
・
徳島正敏
・
五明明子
(
NEC
)・
肥後昭男
・
年吉 洋
・
石田悟己
・
荒川泰彦
(
東大
)
[more]
LQE2005-121
pp.37-40
LQE
2005-12-09
15:40
東京
機械振興会館
GaInAsP/InP極微構造の低損傷形成による低電流歪補償量子細線DFBレーザ
○
三浦幸治
・
タノーム プルームウォンロート
・
西本頼史
・
大平和哉
(
東工大
)・
八木英樹
・
丸山武男
・
荒井滋久
(
東工大/JST
)
EB露光、CH4/H2-RIE、及びOMVPEによる埋め込み再成長法を用いて作製したGaInAsP/InP長波長帯歪補償...
[more]
LQE2005-122
pp.41-44
LQE
2005-12-09
16:05
東京
機械振興会館
高密度高均一量子ドットを用いた量子ドットレーザ
○
天野 建
・
菅谷武芳
・
小森和弘
(
産総研
)
高密度(8x10^10cm^-2)で高均一(25 meV)な量子ドットを独自手法で製作した.
これを半導体レーザに用い...
[more]
LQE2005-123
pp.45-48
LQE
2005-12-09
16:30
東京
機械振興会館
長波長帯多層化量子ドットレーザの低閾値電流密度発振
○
清水 均
・
Shanmugam Saravanan
・
吉田順自
(
ATR
)・
井部紗代子
・
横内則之
(
古河電工
)
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LQE2005-124
pp.49-52
13件中 1~13件目
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