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電子デバイス研究会（ED） [schedule] [select]
専門委員長 葛原 正明 (福井大)
副委員長 橋詰 保 (北大)
幹事 高谷 信一郎 (日立)， 村田 浩一 (NTT)
幹事補佐 原 直紀 (富士通研)， 津田 邦男 (東芝)

日時 2008年10月23日(木)　13:00 - 14:40
議題 パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般 
会場名 （▲▲幹事さんへ▲▲ 会場情報をご登録ください ▲▲） 
著作権に
ついて		 以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

10月23日(木) 午後 
13:00 - 14:40
(1) 13:00-13:25 SiC結晶のイオン注入活性化アニール過程における結晶回復と点欠陥の再配置 ED2008-146 ○服部　亮・渡辺友勝・炭谷博昭・大森達夫（三菱電機）・三谷武志（東レリサーチセンター）
(2) 13:25-13:50 低温成長GaNキャップ層エッジターミネーションを用いたシリコン基板上の高耐圧AlGaN/GaNショットキーバリアダイオード ED2008-149 ○鎌田　厚（新日本無線）・江川孝志（名工大）
(3) 13:50-14:15 4インチSi基板上高出力AlGaN/GaN HFETの開発 ED2008-148 ○池田成明・賀屋秀介・李　江・古川拓也・佐藤義浩・加藤禎宏（古河電工）
(4) 14:15-14:40 GaN縦型パワーデバイスの最近の進展 ED2008-147 ○加地　徹（豊田中研）

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会（ED）   [今後の予定はこちら]
問合先 高谷 信一郎（日立中研）
TEL: 0423-23-1111（内線3048）、FAX: 0423-27-7738
E--mail: crl
村田 浩一（NTT)
TEL：046-240-2871、FAX：046-270-2872
E--mail： aecl
原 直紀 （富士通研究所）
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168
E--mail : o
津田 邦男（東芝）
TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501
E--mail : oba 


Last modified: 2008-08-20 09:47:27


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