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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 葛西 誠也 (北大)
副委員長 新井 学 (名大)
幹事 小山 政俊 (阪工大), 山本 佳嗣 (三菱電機)
幹事補佐 川原村 敏幸 (高知工科大), 吉田 智洋 (住友電工デバイス・イノベーション)

日時 2024年12月 5日(木) 13:30 - 17:00
2024年12月 6日(金) 09:30 - 12:00
議題 電子・イオンビーム応用, 一般 
会場名 ウィンクあいち(愛知県産業労働センター) 
住所 愛知県名古屋市中村区名駅4丁目4-38
交通案内 https://www.winc-aichi.jp/access/
お知らせ ◎【重要・会場情報】 初日、2日目で会場(フロア、部屋)が異なります。
初日 : 1106号室
2日目 : 1006号室
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(ED研究会)についてはこちらをご覧ください

12月5日(木) 午後  1106号室
13:30 - 17:00
(1) 13:30-14:10 [招待講演]テラヘルツ波-電子変換技術を用いた真空管検出器 河合直弥浜松ホトニクス
(2) 14:10-14:30 高電界印加された層状絶縁体における電子透過率のエネルギー依存性 河嶋祥吾阪大)・小市崇央阪大/産総研)・阿保 智・○若家冨士男阪大)・長尾昌善村上勝久産総研
(3) 14:30-14:50 電界誘起酸素エッチングで先鋭化されたW tipの組成分析 黒田郁弥樋上侑一郎志摩惇紀岩田達夫永井滋一三重大
(4) 14:50-15:10 TiNコーティングを施したボルケーノ構造フィールドエミッタアレイのエージング前後の放出電流評価 川﨑祐輔村田英一名城大)・村田博雅長尾昌善産総研
  15:10-15:20 休憩 ( 10分 )
(5) 15:20-15:40 三極型大電力パルススパッタリングによるスピント型エミッタの作製と電子放出 近藤 駿成蹊大/産総研)・中野武雄モハメッド シュルズ ミヤ成蹊大)・長尾昌善村田博雅産総研
(6) 15:40-16:00 エピタキシャル成長によるGraphene/h-BN積層構造を有する平面型電子源作製プロセスの最適化 六川 蓮鷹尾祥典横浜国大)・山本将也根尾陽一郎静岡大)・長尾昌善村田博雅村上勝久産総研
(7) 16:00-16:20 カーボンナノチューブのエミッション電流パターンの計算(その2) ~ 水素原子をモデルとして周期的条件計算コードと非周期的条件計算コードの比較 ~ 樋口敏春山田洋一佐々木正洋筑波大
(8) 16:20-16:40 2次元セルオートマトンで観測される1/ƒゆらぎに対する外乱の寄与 上田羽純葛西誠也北大
(9) 16:40-17:00 空間電荷制限領域で駆動する電界放射サイトの温度測定 佐藤宏樹根尾陽一郎文 宗鉉静岡大
12月6日(金) 午前  1006号室
09:30 - 12:00
(10) 09:30-10:10 [招待講演]高度化が進む真空ナノエレクトロニクスデバイス 長尾昌善産総研
(11) 10:10-10:30 高密度エレクトロスプレースラスタの作製プロセスの改良 清水翔太郎横浜国大)・長尾昌善村上勝久村田博雅産総研)・鷹尾祥典横浜国大
(12) 10:30-10:50 空間電荷効果を考慮した改良型一般3次元境界電荷法の開発 鈴木悠斗村田英一田中祟之六田英治名城大
  10:50-11:00 休憩 ( 10分 )
(13) 11:00-11:20 ショットキー接合型グラフェン平面電子源の開発 村上勝久村田博雅長尾昌善産総研
(14) 11:20-11:40 グラフェン層での電子回折を利用したGraphene-Insulator-Semiconductor構造電子源の研究 小市崇央阪大/産総研)・河嶋祥吾三宅広士阿保 智若家冨士男阪大)・長尾昌善村上勝久産総研
(15) 11:40-12:00 MgOを母材とした水熱合成法による深紫外線蛍光体の開発 岡田昌大根尾陽一郎文 宗鉉静岡大)・松本貴裕名古屋市大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 山本 佳嗣(三菱電機)
TEL: 06-6496-9660
E--mail: YaYoguMibiElectc
小山 政俊(大阪工業大学)
TEL: 06-6167-4810
E--mail: oit 


Last modified: 2024-10-21 19:08:28


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