研究会開催プログラム - 2013-05-SDM-ED-CPM

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電子デバイス研究会（ED）

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専門委員長		加地徹 (豊田中研)
副委員長		原直紀 (富士通研)
幹事		須原理彦 (首都大東京)，上田哲三 (パナソニック)
幹事補佐		葛西誠也 (北大)，松永高治 (NEC)

電子部品・材料研究会（CPM）

[schedule] [select]

専門委員長		竹村泰司 (横浜国大)
副委員長		高野泰 (静岡大)
幹事		圓佛晃次 (NTT)，阿部克也 (信州大)
幹事補佐		小舘淳一 (NTT)，佐藤知正 (神奈川大)

シリコン材料・デバイス研究会（SDM）

[schedule] [select]

専門委員長		奈良安雄 (富士通セミコンダクター)
副委員長		大野裕三 (筑波大)
幹事		野村晋太郎 (筑波大)，笹子佳孝 (日立)

日時	2013年 5月16日(木)　13:30 - 17:00 2013年 5月17日(金)　09:30 - 16:45
議題	結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料）
会場名	静岡大学創造科学技術大学院２階会議室（浜松キャンパス）
住所	〒432-8011 浜松市中区城北3-5-1
交通案内	JR浜松駅よりバスまたはタクシー（http://gsst.shizuoka.ac.jp/others/access.html） http://gsst.shizuoka.ac.jp
会場世話人連絡先	電子工学研究所池田浩也
お知らせ	◎１日目（５月１６日）の研究会終了後、懇親会を予定しておりますのでふるってご参加ください。
著作権について	以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

5月16日(木) 午後 13:30 - 17:00
(1)	13:30-13:55	様々な加工処理を施した4H-SiC表面のキャリアライフタイム評価 ED2013-16 CPM2013-1 SDM2013-23	○森　祐人・加藤正史・市村正也（名工大）
(2)	13:55-14:20	4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み ED2013-17 CPM2013-2 SDM2013-24	○中根浩貴・加藤正史・市村正也（名工大）・大島　武（原子力機構）
(3)	14:20-14:45	カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス ED2013-18 CPM2013-3 SDM2013-25	○藤田陽平・高野　泰・井上　翼・中野貴之（静岡大）
(4)	14:45-15:10	中性子半導体検出器の実現に向けたBGaN薄膜の作製と評価 ED2013-19 CPM2013-4 SDM2013-26	○渥美勝浩・三宅亜紀・三村秀典・井上　翼・青木　徹・中野貴之（静岡大）
	15:10-15:20	休憩　（ 10分）
(5)	15:20-15:45	γ-Al2O3/Si基板上のPZT薄膜を用いた超音波トランスデューサの受信感度測定と音圧マッピング	○西村将人・尾崎勝弥・赤井大輔・石田　誠（豊橋技科大）・岡田長也（本多電子）
(6)	15:45-16:10	表面窒化によるGaAsN混晶の形成 ED2013-20 CPM2013-5 SDM2013-27	○浦上法之・若原昭浩・関口寛人・岡田　浩（豊橋技科大）
(7)	16:10-16:35	The dissolution process of Si into Ge melt and SiGe growth mechanism by X-ray penetration method ED2013-21 CPM2013-6 SDM2013-28	○Muthusamy Omprakash・Mukannan Arivanandhan・Raman Aun Kumar・Hiroshi Morii・Toru Aoki・Tadanobu Koyama・Yoshimi Momose・Hiroshi Ikeda・Hirokazu Tatsuoka（Shizuoka Univ.）・Yasunori Okano（Osaka Univ.）・Tetsuo Ozawa（Shizuoka Inst. of Science and Tech.）・Yuko Inatomi（JAXA）・Sridharan Moorth Babu（Anna Univ.）・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.）
(8)	16:35-17:00	収束イオンビームを用いたPドープSOI基板に対するGaイオン注入とそのゼーベック係数 ED2013-22 CPM2013-7 SDM2013-29	○鈴木悠平・三輪一聡（静岡大）・ファイズサレ（静岡大/学振）・下村　勝・石田明広・池田浩也（静岡大）
5月17日(金) 午前 09:30 - 16:45
(9)	09:30-09:55	Investigation of monodispersed ZnO nanostructures for dye sensitized solar cells application ED2013-23 CPM2013-8 SDM2013-30	○Mani Navaneethan・Jayaram Archana・Tadanobu Koyama・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.）
(10)	09:55-10:20	Investigations of mesoporous TiO2 spheres as active and scattering layers in dye-sensitized solar cells ED2013-24 CPM2013-9 SDM2013-31	○Jayaram Archana・Mani Navaneethan・Tadanobu Koyama・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.）
(11)	10:20-10:45	Low cost synthesized carbon materials as a photo cathode for dye sensitized solar cells ED2013-25 CPM2013-10 SDM2013-32	○Rajan Karthikeyan・Mani Navaneethan・Jayaram Archana・Mukannan Arivanandhan・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.）
(12)	10:45-11:10	Surface Modified FTO Thin Films for Front Electrodes in Dye Sensitized Solar Cells ED2013-26 CPM2013-11 SDM2013-33	○Devinda Liyanage・Kenji Murakami（Shizuoka Univ.）
	11:10-11:20	休憩　（ 10分）
(13)	11:20-11:45	電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換 ED2013-27 CPM2013-12 SDM2013-34	熊崎祐介・神保亮平・谷田部然治・○佐藤威友（北大）
(14)	11:45-12:10	Electron-tunneling operation of single-dopant-atom transistors at elevated temperature -- Toward room temperature operation -- ED2013-28 CPM2013-13 SDM2013-35	○Daniel Moraru・Earfan Hamid・Arup Samanta（Shizuoka Univ.）・Le The Anh（JAIST）・Takeshi Mizuno（Shizuoka Univ.）・Hiroshi Mizuta（JAIST/Southampton Univ.）・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.）
(15)	12:10-12:35	電子的確率共鳴の非侵襲生体信号計測への応用に関する検討 ED2013-29 CPM2013-14 SDM2013-36	○今井裕理・葛西誠也（北大）
	12:35-13:30	昼食　（ 55分）
(16)	13:30-14:05	［招待講演］シリサイド半導体の結晶成長とデバイス応用 ED2013-30 CPM2013-15 SDM2013-37	○鵜殿治彦（茨城大）
(17)	14:05-14:30	CMOSイメージセンサ技術を用いたファブリペロー干渉計による非標識バイオセンサ ED2013-31 CPM2013-16 SDM2013-38	○小澤　遼・高橋一浩・大山泰生・二川雅登・太斎文博・石田　誠・澤田和明（豊橋技科大）
(18)	14:30-14:55	CuとFeを担持したTiO2スパッタ薄膜の光触媒特性の評価 ED2013-32 CPM2013-17 SDM2013-39	○山田良隆・渥美　剛・白木　遼・以西雅章（静岡大）・安田洋司・星　陽一（東京工芸大）
(19)	14:55-15:20	高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価 ED2013-33 CPM2013-18 SDM2013-40	○三宅景子・安田智成・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島　武（原子力機構）
	15:20-15:30	休憩　（ 10分）
(20)	15:30-15:55	LiMn2O4薄膜の電池特性の改善 ED2013-34 CPM2013-19 SDM2013-41	○野口貴史・丹羽彬夫・木村将士・柴田智志・以西雅章・冨田靖正（静岡大）
(21)	15:55-16:20	Improvement of photovoltaic characteristics of B-doped Czochralski-Silicon by Ge codoping ED2013-35 CPM2013-20 SDM2013-42	○Mukannan Arivanandhan（Shizuoka Univ.）・Raira Gotoh・Kozo Fujiwara（Tohoku Univ.）・Yasuhiro Hayakawa（Shizuoka Univ.）・Satoshi Uda（Tohoku Univ.）・Makoto Konagai（Tokyo Inst. of Tech.）
(22)	16:20-16:45	Hydrothermal Synthesis of ZnO Nanowire Network using Zinc Acetate Dyhydrate for the DSSC Application ED2013-36 CPM2013-21 SDM2013-43	○Rangga Winantyo・Kenji Murakami（Shizuoka Univ.）

講演時間
一般講演	発表 20 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED	電子デバイス研究会（ED） [今後の予定はこちら]
	問合先	須原理彦（首都大） TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756 E- : t 上田哲三（パナソニック) TEL：075-956-8273、FAX：075-956-9110 E-： zopac
CPM	電子部品・材料研究会（CPM） [今後の予定はこちら]
	問合先
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM） [今後の予定はこちら]
	問合先	小野行徳(NTT) Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317 E-: o